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更新日期： 2022-03-18
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失效分析基本概念定义：对失效电子元器件进行诊断过程。 1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。 2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。 3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式……

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10个电源设计中最常用的公式有哪些？本文帮你梳理清楚

更新日期： 2022-03-18
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1 ---MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax： ……

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氮化镓外延用硅衬底问题研究

更新日期： 2022-03-18
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摘要：随着硅基氮化镓外延技术的不断突破，其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显。分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题，提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标，为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向。氮化镓具有高饱和电子速率和击穿电压及耐高温等特性，可用于制作极其恶劣环境下运……

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揭秘！怎样把沙子变成99.999999999%纯度的芯片原材料硅片

更新日期： 2022-03-18
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揭秘！怎样把沙子变成99.999999999%纯度的芯片原材料硅片高纯度的单晶硅片是制造各种芯片的基础材料，半导体级硅的纯度极高，通常要达到99.9....%(小数点后面7至9个9，甚至是12个9），且为单晶，即硅原子晶格统一朝向。当然这里所说的纯度一般是仅考虑不含金属杂质的纯度，不包括……

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隔离电源与噪声

更新日期： 2022-03-18
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在恶劣或强电子干扰环境中，比如工业环境和生产装配线等等，在这些系统中，机械设备、高频设备、火花机等等会产出各种干扰和噪声从而影响其它电源的正常工作。出于对净化电源的要求，比如对电源质量要求比较高的精密仪器设备特别是传感器和微弱信号采集的要求，采用直流隔离电源是普通和常用的办法。直流（或噪声）隔……

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开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了！

更新日期： 2022-03-18
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DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图 1—降压同步开关稳压器原理图 DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器，如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制

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DAC转换+运算放大器乘法数模转换器

更新日期： 2022-03-18
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大多数数模转换器(DAC)采用固定的正基准电压工作，输出电压或电流与基准电压和设定的数字码的乘积成比例。而对于所谓的乘法数模转换器(MDAC)，情况并非如此，其基准电压可以变化，变化范围通常是±10 V。因此，通过基准电压和数字码可以影响模拟输出(在这两种情况下都是动态的)。应用借……

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为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？

更新日期： 2022-03-18
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MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？这要从MOS的工艺和结构说起，不

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一个公式打天下，ASML总监讲解光刻机关键技术

更新日期： 2022-03-18
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在“追光实验室”上海站启动仪式上，阿斯麦（ASML）中国区总裁沈波笑言，随着近年来半导体的社会关注度上升，ASML已经成功出圈，从一家只有业内人士了解的隐形冠军，成为全民都能谈论几句的网红公司，几乎每天都能看到与ASML相关的报道和话题。ASML中国区技术总监高伟民甚至总结了媒体报道中对ASML的描述，他表示，专业媒体……

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MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？

更新日期： 2022-03-18
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今天来说两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？ 2、MOS管体二极管能过多大的电流？为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个……

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替代硅片？有公司推出了12英寸的钻石晶圆

更新日期： 2022-03-18
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一家专门从事合成、实验室培育的电子级钻石材料的制造和应用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半导体、电信、消费行业和全球市场展示了能够制造 300 毫米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 钻石晶圆。他们指出，这个行业突破性的 300 毫米 CMOS 钻石晶圆将增强各行业电子产品的……

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细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况

更新日期： 2022-03-18
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以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5 e V）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。这类半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电子器件等领域具有显著的优势和巨大的发展潜力，目前正成为国际竞争的新热点。金刚石作为超宽带隙……

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