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更新日期： 2022-05-23
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一、MOSFET简介 ■MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常称之为，金属-氧化层-半导体-场效晶体管. ■MOSFET最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。 ■功率M……

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干货 | 常用电路基础公式&换算

更新日期： 2022-05-19
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1.欧姆定律计算 ……

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GaN半导体器件塑造电子的未来格局

更新日期： 2022-05-17
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GaN半导体器件用于增长消费电子产品的市场潜力。

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详述晶振的工作原理

更新日期： 2022-05-11
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晶振概述晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。晶振工作原理 ……

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为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？体二极管的原理

更新日期： 2022-05-09
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MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？这要从MOS的工艺和结构说起，不

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详解IGBT驱动电路设计

更新日期： 2022-05-06
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IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效

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SiC功率模块封装技术及展望

更新日期： 2022-05-06
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近几十年来，以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第 2 代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁带宽度更宽，耐高温特性更强，开关频率更高，损……

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记住这些英文缩写，秒懂电路原理图

更新日期： 2022-05-04
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设计原理图时，网络标号要尽量简洁眀了。本文总结了一下基本的表示方法，供大家参考。常用控制接口 ……

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信号线上串个小电阻干啥用的？

更新日期： 2022-05-04
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问题：查看有些原理图的设计时，经常看到串一些小电阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同样场合有的串，有的不串。这是为什么呢？这里电阻串联的意义是什么呢？什么时候需要串电阻呢，阻值取多大呢？关于这个问题，我们先看下网上的一些答案：有人说：参考设计上推荐……

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内阻很小的MOS管为什么会发热？

更新日期： 2022-05-04
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Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（这里不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。 EDA365电子论坛

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电路中7个常用接口类型

更新日期： 2022-04-20
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我们知道，在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”，例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差（如CPU与外设）或者各自的信号类型不一致（如传感器检测光信号）等，这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点……

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