晶体三极管基本概述

晶体三极管的分类

晶体三极管结构图解

(以NPN型晶体管为例)

晶体三极管工作原理详解

(以NPN型晶体管为例)

根据晶体三极管的集电结和发射结的偏置情况，NPN型晶体三极管具有4种工作区间，如表1所示。

• 正向放大区（或简称放大区）：当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，晶体管工作在放大区。大多数双极性晶体管的设计目标，是为了在正向放大区得到[敏感词]的共射极电流增益。晶体管工作在这一区域时，集电极-发射极电流与基极电流近似成线性关系。由于电流增益的缘故，当基极电流发生微小的扰动时，集电极-发射极电流将产生较为显著变化。

• 反向放大区：当发射结反向偏置，集电结正向偏置时，晶体管工作在反向放大区。此时发射区和集电区的作用与正向放大区正好相反，但由于集电区的掺杂浓度低于发射区，反向放大区产生的放大效果小于正向放大区。而大多数双极性晶体管的设计目标是尽可能得到[敏感词]正向放大电流增益，因此在实际这种工作模式几乎不被采用。

• 饱和区：当发射结和集电结均为正向偏置时，晶体管工作在饱和区。此时晶体管发射极到集电极的电流达到[敏感词]值。即使增加基极电流，输出的电流也不会再增加。饱和区可以在逻辑器件中用来表示高电平。

• 截止区：当发射结和集电结均为反向偏置时，晶体管工作在截止区。在这种工作模式下，输出电流非常小(小功率的硅晶体管小于1微安，锗晶体管小于几十微安)，在逻辑器件中可以用来表示低电平。

正向放大区: 内部载流子的运动详解

• 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE

• 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB

• 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC

晶体三极管的特性曲线

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