晶体三极管又称晶体管、双极型晶体管；

在晶体管中有两类不同的载流子参与导电。

一、晶体管的结构和类型

1. 晶体管的结构

在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就形成三极管。

2.晶体管的类型

基极为P的称为NPN型，基极为N的称为PNP型。

二、晶体管的电流放大作用

 晶体管的放大状态的外部条件：发射结正偏且集电结反偏。

发射结正偏：发射区的载流子可以扩散到基区

集电结反偏：基区的非平衡少子(从发射区扩散到基区的载流子)可以漂移到集电区。

如果发射结正偏，集电结也正偏，出现的情况将是发射区的载流子扩散到基区，同时集电区的载流子也漂移到基区。

1.晶体管内部载流子运动

①发射结正偏：发射区载流子向基区扩散，基区空穴向发射区漂移

②集电极反偏，非平衡少子运动：从发射区过来的载流子到达基区后，称为非平衡少子(基区是P带正电，载流子是电子，所以是非平衡少子；基区空穴虽然是多子，但是数量比较少)，一方面与基区的空穴复合(少量)；另一方面，由于集电极反偏，会产生非平衡少子的漂移运动，非平衡少子从基区漂移到集电极，从而产生漂移电流。由于集电极面积非常大，所以可以产生比较大的漂移电流(到达基区的载流子，由于集电极反偏，所以对基区的非平衡少子有吸引，集电极带正电，非平衡少子带负电）

③集电极反偏，少子漂移电流：由于集电结反偏，处于基区的少子(电子)会漂移运到到集电区；集电区的少子(空穴)会漂移运动到基区

2.晶体管中的电流分关系

三、共射电路放大系数

1. 直流放大系数：放大系数：Ic=(1+β)IB

   

   
   

   

2.交流放大系数：直流电流放大系数可以代替交流电流放大系数