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更新日期： 2022-12-08
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在晶体管发明 75 周年之际，我想回答两个问题：世界需要更好的晶体管吗？如果是这样，他们会是什么样子？我会争辩说，是的，我们将需要新的晶体管，而且我认为我们今天已经有了一些关于它们会是什么样子的暗示。问题在于我们是否有意愿和经济能力去制造它们。 ……

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PCB电路板散热设计技巧

更新日期： 2022-12-07
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PCB电路板散热设计技巧一、热设计的重要性电子设备在工作期间所消耗的电能，比如射频功放，FPGA芯片，电源类产品，除了有用功外，大部分转化成热量散发。电子设备产生的热量，使内部温度迅速上升，如果不及时将该热量散发，设备会继续升温，器件就会因过热失效，电子设备的可靠性将下降。SMT使电子设备的安装密度增大，有效散热面积减小，设备温升严重地影响可靠性，因此，对热设计的研究显得十分重要。对于PCB电路板的散热是一个非常重要的环节，那么PCB电路板散热技巧是怎样的，下面我们

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功率电子呈现不断发展的趋势-SiC IGBT和氧化镓

更新日期： 2022-12-07
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Yole表示，金刚石、SiC IGBT和氧化镓是长期关注的技术电动化、电池的日益使用和自动化等趋势正在推动功率电子产品的需求，这是通过减少二氧化碳排放和提高系统效率来减缓气候变化的努力所推动的。根据Yole的《2022年功率电子行业现状》报告，由于电动和混合动力汽车（xEV）、工厂自动化、光伏

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基于输入阻抗控制的多模式混合PFC的控制

更新日期： 2022-11-30
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前言：在之前我提出了DCM补偿的算法，解决了在不变化频率时DCM区域的电流谐振失真，可见：《基于输入阻抗控制策略的CCM PFC在高压和轻负载工况下的ithd优化与思考》。但是如果可以允许开关频率变化，那么就可以启用CrM的工作区域，来实现真正的全负载范围的多模式无缝切换混合模式PFC，即在一个AC周期内直接以DCM/……

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如何解决芯片封装散热问题

更新日期： 2022-11-29
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工程师们正在寻找从复杂模块中有效散热的方法。将多个芯片并排置于同一封装中可以缓解热问题，但随着公司进一步深入研究芯片堆叠和更密集的封装，以提高性能和降低功率，他们正在与一系列与热有关的新问题作斗争。先进封装芯片不仅能满足高性能计算、人工智能、功率密度增长等的需求，同时先进封装的散热问题也……

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模拟输入信号的保护电路问题

更新日期： 2022-11-28
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本文介绍了四种模拟输入信号的保护电路的实现方法。近由于工作的需要，涉及到了模拟输入信号的保护电路问题。结合以往的工作实践以及网络文献资料的查找。现在就保护电路作一简单的说明。电源钳位保护上述电路存在可靠性的问题。如果输入电压过高，比如超过了运放的工作电压。那么就有可能造成运放的损坏。……

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碳化硅电源管理解决方案如何搭配？

更新日期： 2022-11-28
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绿色倡议持续推动工业、航空航天应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置……

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超暴力拆解小米120W氮化镓充电器：支离破碎中寻找国产芯

更新日期： 2022-11-28
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氮化镓充电器的快速崛起让消费者不再满足低功率的快充，而消费者的迫切需求也促使各家厂商不断追逐更高功率的快充方案，目前公认的120W左右的快充算是属于消费电子行业第一梯队，因此本期硬核拆评将拆解一款小米的120W氮化镓快充，看看高功率的氮化镓快充方案有何不同？ ……

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芯片调测——ESD测试

更新日期： 2022-11-26
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先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。静电，通常……

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半导体器件的ESD测试带电器件模型（CDM）及静电敏感度分级

更新日期： 2022-11-26
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一、ESD带电器件模型带电器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备（Machine）带电后对元器件放电，而 CDM模型则是……

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功率半导体器件学习笔记

更新日期： 2022-11-21
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第一代半导体Si基二极管简介：单个PN结结构，导通和断开两种状态，不具备放大，单向导通；• 无外部电流、电压控制，就是0和1的状态，电压电流较小。应用：各种电子设备，工业设备。晶体管：BJT 简介：背靠背的PN结结构，通过电流驱动实现线性放大功能，具有放大工作区域，……

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2022英特尔® FPGA中国技术周——11月14日技术日

更新日期： 2022-11-14
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11月14日至18日，2022英特尔®FPGA中国技术周（IFTD）将与全球各市场同步线上举办，来自国内外的技术专家将在五天的时间里，从产品、软件开发与设计、云计算、嵌入式、网络五大主题领域展开技术详解。每日一主题、每天两小时，通过二十余场主题演讲及技术方案分享，助您全览英特尔®FPGA产品技术优势和落地实践方案。 ……

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