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更新日期： 2023-02-24
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描述被动元器件又称为无源器件，是指不影响信号基本特征，仅令讯号通过而未加以更改的电路元件。最常见的有电阻、电容、电感、陶振、晶振、变压器等。被动元件，区别于主动元件。而国内此前则称无源器件和有源器件。被动元件内无需电源驱动且自身不耗电，仅通过输入信号即可作出放大，震荡和计算的反应，而不需……

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电池管理系统BMS主要功能规范

更新日期： 2023-02-23
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高压上下电管理高压上电管理：BMS进行自检状态，通过检测后等待VCU上电指令，在接收到VCU上高压电指令后，BMS控制闭合主负、预充继电器进行预充，当检测到MCU输入电压大于母线端电压的95%，预充完成，闭合主正继电器，延迟一段时间后，断开预充继电器，高压上电完成，进入BMS工作模式。KL15为OFF状态，或者……

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双面散热汽车 IGBT 模块热测试方法研究

更新日期： 2023-02-23
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摘要与传统单面散热 IGBT 模块不同，双面散热汽车 IGBT 模块同时向正、反两面传导热量，其热测试评估方式需重新考量。本文进行双面散热汽车 IGBT 模块热测试工装开发与热界面材料选型，同时对比研究模块压装方式，开发出一种适用于双面散热汽车 IGBT 模块的双界面散热结构热测试方法，可实现单面热阻测……

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MOS工作原理及失效分析

更新日期： 2023-02-23
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MOS管是金属（metal）氧化物（oxide）半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属绝缘体（insulator）半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管

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PCB布线要点整理

更新日期： 2023-02-22
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根据 50 欧姆阻抗线宽进行布线，尽量从焊盘中心出线，线成直线，尽量走在表层。在需要拐弯的地方做成45 度角或圆弧走线，推荐在电容或电阻两边进行拐弯。如果遇到器件走线匹配要求的，请严格按照datasheet上面的参考值长度走线。比如，一个放大管与电容之间的走线长度(或电感之间的走线长度)要求等等。 1、通用做……

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中科院：半导体基础研究匮乏，我们进入"黑暗森林"

更新日期： 2023-02-22
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本文刊载于《中国科学院院刊》2023年第2期“科学观察” 李树深* 中国科学院半导体研究所半导体……

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碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）

更新日期： 2023-02-21
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一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。　　让我们探讨一下碳化硅和氮化镓之间的主要区别，这将有助于我们了解何时最有效地应用这些化合物……

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IGBT的发展史及测试

更新日期： 2023-02-21
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）于20世纪80年代初发明、开发并商业化。器件结构（图4左侧）可以设计为在第一象限和第三象限（对称IGBT）的结J1和J2处阻断电压，或者仅在第一象限（不对称IGBT）阻断电压。IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作，该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移……

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SiC外延工艺基本介绍

更新日期： 2023-02-20
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外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。由于碳化硅功率……

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十大步骤详解芯片光刻的流程

更新日期： 2023-02-16
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在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时……

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碳化硅功率器件技术可靠性！

更新日期： 2023-02-16
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前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的……

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