中国·澳门新葡萄新京威尼斯(987-官方网站)-Ultra Platform

/ EN
13922884048

技术交流

Technology Exchange
/
/
其他
其他
以下观点仅代表嘉宾本人立场,文章都已获得本人授权发布,与本网站无关。​
模拟输入信号的保护电路问题
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 浏览次数: 1865
本文介绍了四种模拟输入信号的保护电路的实现方法。 近由于工作的需要,涉及到了模拟输入信号的保护电路问题。结合以往的工作实践以及网络文献资料的查找。现在就保护电路作一简单的说明。 电源钳位保护 上述电路存在可靠性的问题。如果输入电压过高,比如超过了运放的工作电压。那么就有可能造成运放的损坏。……
碳化硅电源管理解决方案如何搭配?
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 浏览次数: 1553
绿色倡议持续推动工业、航空航天应用,尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅(SiC)是引领这一趋势的核心技术,可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化,从而减少温室气体(GHG)排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统,为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置……
超暴力拆解小米120W氮化镓充电器:支离破碎中寻找国产芯
  • 更新日期: 2022-11-28
  • 浏览次数: 4394
氮化镓充电器的快速崛起让消费者不再满足低功率的快充,而消费者的迫切需求也促使各家厂商不断追逐更高功率的快充方案,目前公认的120W左右的快充算是属于消费电子行业第一梯队,因此本期硬核拆评将拆解一款小米的120W氮化镓快充,看看高功率的氮化镓快充方案有何不同? ……
芯片调测——ESD测试
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 浏览次数: 7130
先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。 静电,通常……
半导体器件的ESD测试带电器件模型(CDM)及静电敏感度分级
  • 更新日期: 2022-11-26
  • 浏览次数: 16257
一、ESD带电器件模型 带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是……
功率半导体器件学习笔记
  • 更新日期: 2022-11-21
  • 浏览次数: 2739
第一代半导体Si基 二极管 简介:单个PN结结构,导通和断开两种状态,不具备放大,单向导通;• 无外部电流、电压控制,就是0和1的状态,电压电流较小。 应用:各种电子设备,工业设备。 晶体管:BJT 简介:背靠背的PN结结构,通过电流驱动实现线性放大功能,具有放大工作区域,……
2022英特尔® FPGA中国技术周——11月14日技术日
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 浏览次数: 1642
11月14日至18日,2022英特尔®FPGA中国技术周(IFTD)将与全球各市场同步线上举办,来自国内外的技术专家将在五天的时间里,从产品、软件开发与设计、云计算、嵌入式、网络五大主题领域展开技术详解。每日一主题、每天两小时,通过二十余场主题演讲及技术方案分享,助您全览英特尔®FPGA产品技术优势和落地实践方案。 ……
光模块的CFP和OSFP封装
  • 更新日期: 2022-11-14
  • 浏览次数: 6360
CFP(C form-factor pluggable)封装最早由CFP MSA协会发布,用于支持早期的100G光模块(”C”在拉丁字母中代表100)。CFP模块尺寸较大,可以提供和主机间10*10G或者4*25G的电接口连接,支持最大功耗24W。后来随着芯片技术的发展,又推出了更小封装尺寸和更高性能的CFP2(12W)和CFP4(6W)以及CFP8(24W)标准。CFP8封装于2017年推出,是为了支持早期的400G光模块,其可以支持16路25G的NRZ信号以实现400G传输,但逐渐被更小的OSFP和Q
对话阳光电源副总裁李顺:逆变技术“下半场”路走何方?
  • 更新日期: 2022-11-12
  • 浏览次数: 1751
今年以来,各省市渐次下发的光伏指标规模已达近百GW,市场放量的同时也加速了逆变器企业新一轮竞争的到来。 根据最新资料统计,华电、大唐、国家电投等央国企先后启动了超80GW的逆变器招标,已公布中标结果的企业报价只差毫厘。对于渐渐走出“价格战”泥潭的逆变器企业,新一轮竞争焦点又在哪里? ……
提高芯片性能的三个途径,工程师关注后摩尔时代
  • 更新日期: 2022-11-10
  • 浏览次数: 2961
随着摩尔定律推进并达到物理极限,基于新原理、新材料和新结构的半导体器件引发集成电路工艺变革,后摩尔时代已然到来。后摩尔时代,芯片技术发展的基本点:一是发展不依赖于特征尺寸不断微缩的特色工艺,以此扩展集成电路芯片功能。二是将不同功能的芯片和元器件组装在一起封装,实现异构集成。三是通过新途径来满足人工智能算法和算力提升。我……
倪光南院士:RISC-V是“中国芯”掌握主动权的重要机遇
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 浏览次数: 1881
在2022 RISC-V中国峰会上,阿里平头哥发布首个高性能RISC-V芯片平台“无剑600”及SoC原型“曳影1520”。中科院院士、计算机专家倪光南表示,RISC-V将发展为世界主流CPU架构之一,是我国芯片产业掌握主动权的重要机遇。 近年来,RISC-……
ARM与RISC-V之争
  • 更新日期: 2022-11-09
  • 浏览次数: 1870
从2010年夏天开始,伯克利研究团队大约花了四年的时间,设计和开发了一套完整的新的指令集。这个新的指令集叫做RISC-V,指令集从2014年正式发布之初就受到多方质疑,到2017年印度政府表示将大力资助基于RISC-V的处理器项目,使RISC-V成为了印度的事实国家指令集。再到今年国内从国家政策层面对于RISC-V进行……

服务热线

0755-83044319

霍尔元件咨询

肖特基二极管咨询

TVS/ESD咨询

获取产品资料

客服微信

微信服务号