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更新日期： 2022-05-27
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在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ ……

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汽车压力传感器方案

更新日期： 2022-05-27
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一

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超详细，22节内容！ADI工程师，带您学习放大器电源

更新日期： 2022-05-25
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放大器是构筑模电大厦最基础的砖石，它是一种有源器件，需要供电才能工作，电源的不同选择和设置也会对放大器参数性能产生影响，因此，不管您是已入职场的设计人员，还是在正在学习电路设计的学生，都应该对放大器电源有更多的了解。

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MOSFET的驱动技术有哪些？

更新日期： 2022-05-23
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一、MOSFET简介 ■MOSFET的全称为：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常称之为，金属-氧化层-半导体-场效晶体管. ■MOSFET最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。 ■功率M……

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干货 | 常用电路基础公式&换算

更新日期： 2022-05-19
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1.欧姆定律计算 ……

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GaN半导体器件塑造电子的未来格局

更新日期： 2022-05-17
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GaN半导体器件用于增长消费电子产品的市场潜力。

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详述晶振的工作原理

更新日期： 2022-05-11
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晶振概述晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。晶振工作原理 ……

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为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？体二极管的原理

更新日期： 2022-05-09
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MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？这要从MOS的工艺和结构说起，不

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详解IGBT驱动电路设计

更新日期： 2022-05-06
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IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效

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SiC功率模块封装技术及展望

更新日期： 2022-05-06
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近几十年来，以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第 2 代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁带宽度更宽，耐高温特性更强，开关频率更高，损……

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