电机控制器驱动汽车电机时，绝大部分电能都转化为了机械能，但是还有一小部分被消耗掉了，变成了热。

    这个被消耗掉的部分，一方面是电机本身的损耗，还有一方面，就是电机控制器中功率半导体工作时的损耗，毕竟能源转化肯定没办法做到100%

    电机我不太懂，今天主要介绍电机控制器的损耗（逆变器中功率半导体模块的损耗）

    功率半导体模块一般参数有静态损耗和动态损耗。静态主要是IGBT的Vcesat（对MOSFET而言是Rdson）和续流二极管FWD的Vf。动态损耗主要是IGBT/MOSFET的开通损耗Eon，关断损耗Eoff，还有二极管的反向恢复损耗Erec。

    这么多参数，头都绕晕了，《矛盾论》里面讲过，分析事物要抓住主要矛盾，兼顾次要矛盾，那我们来看看，哪个类型的参数对电动汽车的功率损失影响[敏感词]？

以最常见的10k Hz工况为例，我们看到，对于Si IGBT模块来讲

对于Si IGBT器件来说，一共产生了297kW的总发热，其中IGBT的通态损耗Vcesat占比[敏感词]，其次是关断损耗Eoff，这不是巧了这是，恰巧这俩是最不好对付的。。一般是你优化了这个，另一个指标就变差了。

再看全SiC模块的表现，全sic器件的发热就很低了，相比IGBT模块297的发热，SiC MOSFET模块只产生了85W的发热，逆变器效率大大提升。

那么对于SiC模块而言，哪个指标才是最重要的呢？看图

我们看到，SiC的通态损耗占比42.5%，也就是Rdson指标占大头，其次是MOSFET的开通损耗Eon，然后是关断损耗Eoff，二极管通态压降Vf和反向恢复能量Erec。

也就是说，SiC芯片在10K的工作频率下，决定其性能好坏的关键因数是Rdson，这个指标直接决定了SiC芯片的发热，也就是逆变器的效率，进而影响整车的效率。

当然，SiC比IGBT的效率要高很多，也正是Rdson*I=Vdson在小电流情况下要比IGBT的通态压降Vcesat天然低（为什么低我们下次谈），同时MOSFET是单极型器件，IGBT是双极型器件，开关损耗也天然比mos高。因此，整体上应用SiC模块的电动车可以比IGBT模块的电动车能源效率高大约5%，想象一下，如果是500km的续航，那就可以多跑25km，或者说省4度电的电池成本（4度电的电池成本3000元左右），所以，高端车型上SiC，不仅性能好，科技感，还有实实在在的成本优势！

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