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更新日期： 2022-03-18
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SiC作为第三代半导体材料，性能各方面都要优于Si基材料，与传统基于Si半导体材料的功率器件相比，新兴SiC功率器件具有开关速度快、阻断电压高和耐高温工作能力强等优点，更能满足未来电力电子技术的发展要求。上海瞻芯电子经过三年的深度研发和极力攻关，成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺，以及 SiC MOSFET驱动芯片的公司。本文就瞻芯电子SiC功率器件的可靠性及应用进行说明，让用户在使用前放心、使用中省心，从而做出更好的产品。 1. 上海瞻芯电子的SiC

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最强的芯片产业链科普，芯片自主可控深度解析（一）

更新日期： 2022-03-18
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如果有人跟你说：“嗨，我做的芯片实现了100%自主可控！”等等，你先不急着崇拜（相信）他，请看完此文再说... 首先，什么叫自主可控，最直观的理解就是当别人“卡脖子”的时候不会被卡住。集成电路产业通常被分为芯片设计、芯片制造、封装测试三大领域，参看下图：我们逐一进行分析，芯片设计主要从ED……

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最强的芯片产业链科普，芯片自主可控深度解析（二）

更新日期： 2022-03-18
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上接最强的芯片产业链科普，芯片自主可控深度解析（一）刻蚀机刻蚀是将晶圆表面不必要的材质去除的过程。刻蚀工艺位于光刻之后。光刻机用光将掩膜上的电路结构复制到硅片上，刻蚀机把复制到硅片上的电路结构进行微雕，雕刻出沟槽和接触点，让……

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氮化镓“噱头论”背后的冷思考

更新日期： 2022-03-18
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近日，拜读辽宁工业大学陈永真教授的文章“氮化镓FET用电解电容器只不过是噱头？”感触良多，应运而生的氮化镓（GaN）FET（场效应晶体管）用电解电容器除了体积减小，在制造工艺没有本质性改变时，其寄生电感无法大幅降低，且在高开关频率下已呈电感特性，高次谐波颇丰。所以，这样的电解电容器不用也罢。 ……

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MOSFET栅极驱动电路，你用过几个？

更新日期： 2022-03-18
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今天分享四种常见的MOS管栅极驱动电路，都用过吗？ 1、IC直接驱动型这种电源IC的直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。图1 IC直接驱动MOS栅极使用这种方法，我们应该注意几个参数及其影响。首先查看电源IC手册，了解最大峰值驱动电流，因为不同的……

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极简电力电子学，简到崩溃

更新日期： 2022-03-18
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世界上有两种电 ��一种是交流电，它的方向一会儿正一会儿负 ��一种是直流电，它的方向从来不变我们家里插座里的电就是交流电电池发出的电就是直流电有时候，我们需要把交流电转换成直流电，比如手机充……

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出货量突破6亿颗，GD32 MCU赋能电机驱动智能解决方案

更新日期： 2022-03-18
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喜报！GD32 MCU累计出货量正式突破6亿颗！犹记得2020年底咱们才官宣了“5亿颗出货量”的喜讯，在短短数月的时间里，GD32 MCU达成新出货1亿颗的“小目标”，成为了产能紧缺环境下、率先恢复产能有序供应的芯片企业之一。 MCU技术的发展推动了电机控制方案以更低成本、更高效率的驱动升级路线。作为MCU产业的……

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汽车电子新宠儿，新一代步进电机驱动IC TB9120AFTG

更新日期： 2022-03-18
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汽车是重要交通工具，随着生活水平的提高，越来越多的人选择购买汽车。在世界500强名单的前十名中，与汽车和能源相关的企业占据了8个席位，足以看得出汽车产业在市场中举足轻重的地位。而随着环保理念的提升，各大汽车公司在传统燃油车的基础上投入大量的资金来研发污染更低的电动汽车，以解决资源短缺的问题。面对日益增长的汽车市场，东芝……

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IGBT关断过程是怎样的？(第一讲)

更新日期： 2022-03-18
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搞电力电子的对IGBT可能再熟悉不过了，全称绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（绝缘栅型场效应管）和BJT（双极性晶体管）组成的复合全控型功率半导体器件，俗称电力电子装置的“CPU”，通过十几伏的门极控制信号，即可实现kV级电压和kA级电流的控制，作为国……

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高导热氮化硅陶瓷基板研究现状

更新日期： 2022-03-18
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目前我国的商用高导热 Si3N4陶瓷基片与国外还是存在差距。因此，研发高导热的 Si3N4陶瓷基片必将促进我国 IGBT(Insula-ted gate bipolar transistor)技术的大跨步发展，为步入新能源等高端领域实现点的突破。近年来氮化硅陶瓷基板材料的实际热导率不断提高，但与理论热导……

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