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更新日期： 2024-10-22
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SoC（ on Chip）作为芯片设计的主流，已经成为现代集成电路技术发展的核心。 1、SoC设计的核心思想从结构上来看，SoC可以理解为把一个完整系统的所有功能电路都设计并集成在一个芯片中，形成一个高度集成的单元。传统的电子系统设计通常是将不同的功能模块分别制作成独立的芯片，然后通过电路板上的连接将这些芯片集成到一个系统中。而SoC技术则直接将这些模块在芯片制造时集成在一起，形成一个系统化的单芯片解决方案。我们可以用“多合一工具”来形象化这个过程。传统的电子设计就像是你在使

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SOC跟SIP（系统级封装）的区别在哪里？

更新日期： 2024-10-22
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SoC（系统级芯片）与SiP（系统级封装）两种技术都是现代集成电路发展的重要里程碑，它们都能实现电子系统的小型化、高效化和集成化。一、SoC（系统级芯片）和SiP（系统级封装）的定义及基本思路 SoC（System on Chip）——将整个系统“挤”进一个芯片 SoC 就像一栋高楼，把所有的功能模块都设计、集成到同一个物理芯片上。SoC的核心思想是将整个电子系统的核心部件，包括处理器（CPU）、存储器、通信模块、模拟电路、传感器接口等多种不同功能模块全部集成在一个芯片上。SoC的优势

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晶圆工艺优化或失效分析相关术语

更新日期： 2024-10-15
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1. Defect “Defect”指的是在晶圆生产过程中出现的缺陷，可能是由于工艺不稳定、设备问题或材料瑕疵导致的。这些缺陷可能包括颗粒污染、图形失真、晶体结构破损等，都会影响最终产品的质量。通俗解释：就是生产过程中出现的“瑕疵”或“不良”，这些问题可能影响芯片的正常功能。 2. Fail ……

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干法刻蚀的原理、工艺流程、评价参数及应用

更新日期： 2024-10-15
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RIE干法刻蚀技术凭借其优越的各向异性刻蚀能力和良好的选择比控制，已成为半导体制造中不可或缺的核心工艺。一、RIE干法刻蚀技术的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀）作为一种主流的干法刻蚀技术，通过等离子体中的活性物质对材料表面进行选择性刻蚀，以达到精确移除材料的目的。图：干法刻蚀概要 RIE刻蚀技术属于一种等离子体辅助的干法刻蚀工艺。刻蚀过程中，通过在反应腔内引入刻蚀气体并施加射频电场，在电场作用下刻蚀气体被电离和激发，形成等离子体

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如何理解晶圆制造中的Second Source

更新日期： 2024-10-15
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在半导体制造和晶圆工艺设备维护中，"Second Source"（二次来源）指的是使用非原厂供应商生产的零件或耗材来替代原厂零件。这种策略有助于降低成本、减少对单一供应商的依赖，同时确保制造的持续性和灵活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生产制造过程中，为了降低……

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深入理解晶圆生产中的SPC系统

更新日期： 2024-10-15
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SPC (Statistical Process Control) 是晶圆生产工艺中非常重要的工具，用于监控、控制和改进制造过程中各个环节的稳定性。 1. SPC 系统的概述 SPC 是一种通过统计方法监控和控制制造过程的方法。其核心是通过实时数据的采集和分析来检测生产过程中是否有异常情况发生，从而帮助工程师做出及时的调整和决策。SPC的目标是在生产过程中减少变异，确保产品质量稳定并符合规格。 SPC在蚀刻工艺中用于：监控关键设备参数（如蚀刻速率、RF功率、腔体压力、温度等）

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晶圆材料的生产工艺比较

更新日期： 2024-10-14
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硅片是现代电子产业的核心材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池、MEMS等领域。硅片（wafer）的生产工艺对其质量、性能和后续的应用至关重要。硅基集成电路工艺中，硅片的纯度、掺杂浓度、晶体结构等参数会直接影响到器件的性能。在硅片生产中，最常用的两种工艺是直拉法（Czochralski，简称CZ法）和区熔法（Float-……

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通俗理解晶圆制造中的离子注入机台

更新日期： 2024-10-14
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离子注入过程就像是一个高速公路上的投射系统，从离子源开始“起步”，通过加速和质量分离进行挑选，经过加速通道达到高速，然后通过镜头和偏转装置精准瞄准，最终将晶圆作为终点，精准完成掺杂。离子注入机（Ion Implanter）的组成如下： 1. 离子源（Ion Source）离子源是离……

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晶圆（硅片）为什么越来越大？

更新日期： 2024-10-11
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在硅基集成电路生产过程中，硅片（wafer）是关键材料之一。硅片的直径和大小在整个生产工艺中起着至关重要的作用。硅片的尺寸不仅决定了可以生产的芯片数量，也对成本、产能和质量有直接影响。一、硅片尺寸的历史发展集成电路生产的早期，使用的硅片直径较小。1960年代中期，硅片的直径通常是25毫米（1英寸……

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晶圆工艺中的扩散过程详解

更新日期： 2024-10-11
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扩散（Diffusion）是晶圆制造过程中至关重要的工艺步骤之一，尤其是在半导体制造中，用于掺杂硅基材料。这一过程是通过扩散将特定的掺杂物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圆，以调整其导电性。 1. 扩散的基本原理扩散，是指分子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程。在晶圆制造中，扩散的对象是掺杂物（例如砷、磷或硼等……

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如何把单晶硅锭切成硅片？

更新日期： 2024-10-08
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1. 硅片制造高质量硅片的生产从单晶硅锭开始，经过多道工艺步骤，包括切片、表面处理和精加工。其中，线锯切割是将大尺寸的圆柱形硅锭切割成薄片（即硅片）的关键步骤。线锯切割是确保硅片具有所需厚度和平整度的关键步骤，同时还能尽量减少材料损耗和缺陷。这一过程需要在切割速度、精度和表面质量之间找到平衡。 2……

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为什么器件失效分析需要AFM机台？

更新日期： 2024-10-08
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1. 概述失效分析是确保集成电路和微电子器件可靠性、优化制造工艺的重要环节。随着技术的进步，特别是进入5nm、7nm等先进工艺节点后，器件失效模式变得更为复杂，要求我们使用各种高精度的分析工具进行失效定位和机理分析。原子力显微镜（Atomic Force Microscope，简称AFM）就是其中一种重要的分析……

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