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聊聊光刻机的原理、现状与未来
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 浏览次数: 1193
光刻机是半导体制造过程中的关键设备,相当于芯片制造工艺的“印刷机”,它的精度直接影响芯片的制程和性能。 根据不同光源类型,光刻机可以分为UV(紫外线)、DUV(深紫外线)和EUV(极紫外线)三大类。光刻机的分辨率主要由两个参数决定:光源的波长(λ)和物镜系统的数值孔径(NA)。简单来说,波……
先进封装核心技术之一:TSV
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 浏览次数: 867
在先进封技术中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一种关键的垂直互连技术,它通过在芯片内部打通的通道实现了电气信号的垂直传输。TSV可以显著提高芯片之间的数据传输效率,减少信号延迟,降低功耗,并提升封装的集成密度。以下是对TSV技术的详细解释。 1. TSV的基本概念 TSV 是一种……
芯片设计之功能逻辑仿真
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 浏览次数: 866
Functional Logic Simulation可以看作是芯片设计的“逻辑验证”阶段,确保设计功能如预期工作。它的主要目的是在时序无关的情况下,确认芯片的逻辑结构是否正确。这个步骤帮助工程师在芯片制造之前,发现并修正设计中的逻辑错误。
为啥6寸晶圆用平边,8/12寸晶圆用notch?
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 浏览次数: 1344
最近读者提问:“6寸晶圆用平边,8/12寸晶圆用notch,用Notch 比平边好,为啥6寸还是用平边”这个问题时,我们可以从晶圆制造、工艺要求、历史原因和设备兼容性等多个角度进行分析。
聊聊晶圆和芯片量产阶段的full-mask
  • 更新日期: 2024-09-06
  • 浏览次数: 1315
在集成电路工艺中,“full-mask”是一个关键概念,它涉及到半导体制造过程中掩模版的使用。掩模版是半导体光刻工艺中用于硅片表面图案化的光学工具。掩模版上有微小的图案,这些图案将通过光刻过程转移到硅片的光刻胶上,从而定义了芯片的功能区和布线层。
SOI晶圆的结构、分类、优势、下游应用
  • 更新日期: 2024-09-02
  • 浏览次数: 1106
SOI(Silicon-On-Insulator)是一种半导体制造技术,其中硅晶圆的一部分被绝缘层(通常是二氧化硅)隔离开来,这样可以有效地减少寄生电容和漏电流,提升器件性能。
如何理解晶圆制造的良率(Yield)
  • 更新日期: 2024-08-27
  • 浏览次数: 1586
在晶圆制造中,良率的管理和提升是一个复杂而持续的过程,需要在工艺、设计、材料、设备等多个方面进行综合的优化和管理。通过数据的分析、持续改进的策略、客户协同的优化,最终实现良率的最大化,提高产品质量和产线效率。
万物智联时代,RISC-V与AI的融合之路该如何走?
  • 更新日期: 2024-08-21
  • 浏览次数: 1380
在全球科技飞速发展的背景下,RISC-V与人工智能(AI)的结合成为了业内关注的焦点,8月19日,第四届滴水湖中国RISC-V产业论坛在上海临港滴水湖畔召开,北京大学讲席教授、RISC-V国际基金会人工智能与机器学习专委会主席谢涛发表了《万物智联时代RISC-V+AI之路》演讲,分析了RISC-V与AI技术的结合及其发……
晶圆测试与芯片测试有什么不同?
  • 更新日期: 2024-08-19
  • 浏览次数: 993
晶圆测试(CP)属于“晶圆级”工艺,数千颗甚至数万颗裸芯片高度集成于一张晶圆上,对测试作业的洁净等级、作业的精细程度、大数据的分析能力等要求较高,因此技术实力较强的测试厂商通过精益生产能够实现更好的效益,拉开与其他对手的差距。
先进封装技术CoWoS分享纪要
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 浏览次数: 1390
台积电的CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)技术是一种先进的半导体封装技术,旨在提升集成电路的性能、减小封装尺寸,并有效降低功耗。CoWoS技术通过在一个硅中介层(Interposer)上集成多个芯片(或芯片组),形成一个高性能的封装解决方案。该技术主要应用于需要高带宽和低延迟的高性能计算……
Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 浏览次数: 1497
半导体制造工艺中的刻蚀是利用物理和(/或)化学方法有选择性地从晶圆表面去除不必要材料的过程。刻蚀工艺通常位于光刻工艺之后,利用刻蚀工艺对定义图形的光阻层侵蚀少而对目标材料侵蚀大的特点,从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀工艺主要分为干法和湿法两种。
3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 浏览次数: 1340
晶圆制造工艺是一个非常复杂的过程,特别是在3纳米制程中,挑战会更加显著。让我们一步步来理解EUV(极紫外光刻)多重图案(Multi-Patterning)技术在实现图案分辨率时所面临的挑战。

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