扩散（Diffusion）是晶圆制造过程中至关重要的工艺步骤之一，尤其是在半导体制造中，用于掺杂硅基材料。这一过程是通过扩散将特定的掺杂物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圆，以调整其导电性。

1. 扩散的基本原理

扩散，是指分子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程。在晶圆制造中，扩散的对象是掺杂物（例如砷、磷或硼等），这些掺杂物通过扩散在硅晶体中移动，从而形成特定的电特性。这一过程可以简单类比为在一杯水中滴入墨水，墨水开始集中在水的一部分，但经过一段时间，它会逐渐扩散，最终在整杯水中均匀分布。

图：扩散工艺

在硅晶体中，掺杂物的扩散更为复杂，因为掺杂物分子需要穿越硅原子的固态晶格结构。硅晶体中的原子排列成紧密的晶格，掺杂物要么通过晶格中的空隙移动（空隙扩散），要么在硅原子之间的空隙中穿梭（晶格间扩散），甚至可以与硅原子互换位置（交换扩散）。

2. 扩散的主要影响因素

扩散速度及其最终效果会受到多种因素的影响：

• 掺杂物类型：不同的掺杂物有不同的扩散系数（即扩散的快慢例如，砷的扩散系数较低，因此它扩散得相对较慢，而磷和硼的扩散系数较高，扩散速度更快。

• 浓度梯度：扩散的动力来自于掺杂物浓度的差异。浓度差越大，扩散速度越快。这个过程会持续，直到浓度趋于平衡。

• 温度：温度是影响扩散过程的关键因素。扩散速度随着温度升高而增加，这是因为较高的温度使得掺杂物原子获得更多的能量，从而更容易穿过硅晶格。温度越高，掺杂物在硅中的扩散速度越快。

• 基底材料及晶向：硅基晶片的晶向会影响扩散的速度。例如，(100) 晶向的硅晶片与 (111) 晶向的硅晶片相比，扩散速度有所不同。不同晶向的原子排列紧密程度不同，导致扩散行为有所差异。带氧化物掩膜的扩散如下：

3. 两种扩散模型：可耗尽源与不可耗尽源

扩散过程中，掺杂物来源分为两类：可耗尽源和不可耗尽源。

可耗尽源扩散：在这种扩散模式下，掺杂物的数量是有限的，随着时间的推移，掺杂物在表面浓度会逐渐降低。这意味着扩散的深度逐渐增加，但扩散的效率随着掺杂物耗尽而减弱。典型的应用包括离子注入之后的扩散退火。

不可耗尽源扩散：在此模式下，掺杂物源源不断地供应给硅晶圆表面，因此表面浓度保持恒定。这种扩散模式通常用于气相掺杂或固相掺杂，掺杂物能够持续地渗入到晶圆中。

4. 扩散方法解析

扩散工艺中，掺杂物可以通过多种方式引入硅晶体，主要包括气相扩散、固态扩散和液态扩散。每种方法都有其独特的特点和应用场景。

4.1 气相扩散

气相扩散是最常见的扩散方法之一。在该过程中，氮气、氩气等惰性气体作为载气，将气态的掺杂物（如磷烷 PH₃ 或二硼烷 B₂H₆）引入扩散炉。硅晶圆在高温环境下暴露于掺杂物气体中，掺杂物沿浓度梯度扩散进入硅晶体。这种方法类似于将香料通过风扇吹入房间内，使其均匀扩散。

气相扩散的优势在于它能够均匀地掺杂多个晶圆，且通过调整气体流量和温度，可以精确控制扩散深度和浓度。

4.2 固态扩散

在固态扩散中，掺杂物以固体形式存在，并且通常将掺杂物载体放置在晶圆之间。当石英管加热时，掺杂物会从固体源中挥发，并通过载气（如氮气）均匀分布到晶圆表面，随后开始扩散。这种方法适合在较小范围内进行掺杂。

4.3 液态扩散

液态扩散方法采用液态源，例如三溴化硼（BBr₃）或三氯氧磷（POCl₃）。载气通过液体源并将掺杂物转化为气态，然后输送到扩散炉中。液态扩散的操作相对简单，且容易实现高浓度的掺杂。

4.4 局部掺杂与氧化掩膜

在扩散过程中，为了避免掺杂物扩散到不需要的区域，常使用二氧化硅（SiO₂）掩膜来隔离特定区域。由于掺杂物无法穿透氧化硅，未被掩膜覆盖的区域才会被掺杂物扩散。这种方法类似于给画布涂上一层保护漆，然后只在未被保护的地方上色。

5. 扩散工艺中的挑战

扩散工艺虽然广泛应用，但也存在一些工艺挑战：

• 掺杂物扩散后再分布：在后续的高温工艺步骤（如氧化或退火过程中），已有的掺杂物可能会再次扩散，导致原本设定的掺杂深度和浓度发生变化。

• 非均匀扩散：虽然理想情况下希望掺杂物只垂直扩散，但由于硅晶格的各向异性，掺杂物会沿着不同的方向扩散，导致掺杂区域比预期的更大，影响精度。

• 掺杂物污染：在扩散过程中，掺杂物可能沉积在石英管或炉壁上，进而污染后续工艺中的晶圆。这需要定期清洁或更换设备，以确保产品质量。

6. 小结

扩散过程是硅基集成电路制造中不可或缺的一部分，涉及复杂的物理现象和工艺控制。通过精确的温度控制、选择合适的掺杂物以及合理的扩散方法，可以在高效生产的同时保证半导体器件的质量和性能。

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