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双面散热汽车 IGBT 模块热测试方法研究
双面散热汽车 IGBT 模块热测试方法研究
  • 更新日期： 2023-02-23
  • 浏览次数： 1591
摘要 与传统单面散热 IGBT 模块不同，双面散热汽车 IGBT 模块同时向正、反两面传导热量，其热测试评估方式需重新考量。本文进行双面散热汽车 IGBT 模块热测试工装开发与热界面材料选型，同时对比研究模块压装方式，开发出一种适用于双面散热汽车 IGBT 模块的双界面散热结构热测试方法，可实现单面热阻测……
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MOS工作原理及失效分析
MOS工作原理及失效分析
  • 更新日期： 2023-02-23
  • 浏览次数： 2514
MOS管是金属（metal）氧化物（oxide）半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属绝缘体（insulator）半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管
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PCB布线要点 整理
PCB布线要点 整理
  • 更新日期： 2023-02-22
  • 浏览次数： 2404
根据 50 欧姆阻抗线宽进行布线，尽量从焊盘中心出线，线成直线，尽量走在表层。在需要拐弯的地方做成45 度角或圆弧走线，推荐在电容或电阻两边进行拐弯。如果遇到器件走线匹配要求的，请严 格按照datasheet上面的参考值长度走线。比如，一个放大管与电容 之间的走线长度(或电感之间的走线长度)要求等等。 1、通用做……
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中科院：半导体基础研究匮乏，我们进入
中科院：半导体基础研究匮乏，我们进入"黑暗森林"
  • 更新日期： 2023-02-22
  • 浏览次数： 1990
本文刊载于《中国科学院院刊》2023年第2期“科学观察” 李树深* 中国科学院半导体研究所 半导体……
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碳化硅 （SiC） 与氮化镓 （GaN）
碳化硅 （SiC） 与氮化镓 （GaN）
  • 更新日期： 2023-02-21
  • 浏览次数： 3403
一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。 　　让我们探讨一下碳化硅和氮化镓之间的主要区别，这将有助于我们了解何时最有效地应用这些化合物……
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IGBT的发展史及测试
IGBT的发展史及测试
  • 更新日期： 2023-02-21
  • 浏览次数： 2259
绝缘栅双极晶体管（IGBT）于20世纪80年代初发明、开发并商业化。器件结构（图4左侧）可以设计为在第一象限和第三象限（对称IGBT）的结J1和J2处阻断电压，或者仅在第一象限（不对称IGBT）阻断电压。IGBT通过使用正栅极偏置创建MOS沟道来工作，该偏置将基极驱动电流输送到内部宽基极P-N-P双极晶体管。在同一漂移……
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SiC外延工艺基本介绍
SiC外延工艺基本介绍
  • 更新日期： 2023-02-20
  • 浏览次数： 2852
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。 由于碳化硅功率……
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十大步骤详解芯片光刻的流程
十大步骤详解芯片光刻的流程
  • 更新日期： 2023-02-16
  • 浏览次数： 4469
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时……
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碳化硅功率器件技术可靠性！
碳化硅功率器件技术可靠性！
  • 更新日期： 2023-02-16
  • 浏览次数： 1741
前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的……
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IGBT失效原因及保护方法
IGBT失效原因及保护方法
  • 更新日期： 2023-02-16
  • 浏览次数： 4270
01 关于 IGBT ……
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SiC MOSFET学习笔记5：车规级功率半导体模块可靠性标准
SiC MOSFET学习笔记5：车规级功率半导体模块可靠性标准
  • 更新日期： 2023-02-16
  • 浏览次数： 4467
功率半导体的车规可靠性标准比较多，主要有美国汽车电子委员会的AEC标准（主要是针对晶圆）和欧洲电力电子中心的AQG324（针对模块）。今天主要复习AQG324这个标准。 先讨论一个工程逻辑：任何一个新产品，在设计之初就应该考虑其使用的可靠性，设计有缺陷，后期工艺上是很难弥补的，因此，当可靠性测试出现问题时，首先要……
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DC-DC电路的环路补偿的调试经验
DC-DC电路的环路补偿的调试经验
  • 更新日期： 2023-02-16
  • 浏览次数： 2068
1、A产品的DC-DC电路受干扰掉电 DC-DC电路设计采用LMR14030芯片实现交流24V转换成直流5V，给GSM模块供电，基中LMR14030芯片的EN脚连接一个开关，用于控制电路开关的功能，在小批量生产测试时发现，电路板未安装外壳的情况下工作正常，安装外壳后，测试时发现电源会在GSM发送数据时发生掉……
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