对于大多数人来说，半导体行业高大尚，深奥难懂。其代表了人类[敏感词]的制造科技技术，那么笔者以图文形式，让大家秒懂秒懂半导体（芯片）制造工艺的核心流程。图文主要介绍半导体（芯片）加工的重要工站。

清洁晶圆

目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，目前仍以湿式清洗法为主流。

1. 湿式清洗技术 湿式清洗技术，是以液状酸碱溶剂与去离子水之混合物清洗晶圆表面，随后加以润湿再干燥的程序。大体分为以下两种：(1) 湿式化学清洗 (2) 湿式程序中清除微粒的技术

2. 干式表面清洗技术 干式晶圆清除技术而言，去除的方式主要有三： (a)将污染物转换成挥发性化合物。 (b)利用动量使污染物直接扬起而去除。 (c)应用加速离子，使污染物破碎。大体分为以下两种：(1) 干式表面污染物清除技术 (2) 干式表面微粒清除技术

清洁晶圆

光刻

光刻工艺主要步骤：

光刻工艺流程

1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，

2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。

3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。4. 对准和曝光(A＆E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，[敏感词]步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。

5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。

6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。

7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。

8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层[敏感词]的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。

离子注入

离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透（植入）薄膜，到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密控制。基本上，此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶圆通过离子束之次数）来控制，而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。

简单说，就是将所注入的气体离子化成为带正电荷的离子束。对离子束用磁场进行筛选后，得到所需要的注入离子，再加速撞击到注入表面，达到注入离子的目的。在这过程中，需要控制好真空度，一般需要超高真空。另外，需要控制好加速能量和注入角度，以控制注入的深浅程度。整个系统需要有精确的电流测量和计算，精密的机械运动控制。因此，离子注入系统是集机械，真空，电子测量，计算机控制，高速数据采集和通讯等一体的复杂精密控制系统。

离子注入

蚀刻

蚀刻bai(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用du而移除的技术zhi。蚀刻dao技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。湿蚀刻就是利用合适的化学溶液腐蚀去除材质上未被光阻覆盖（感光膜）的部分，达到一定的雕刻深度。蚀刻精度高，则可以完成精度要求更高的精细零件的加工，扩大蚀刻应用的范围。目前已经使用的蚀刻液类型有六种类型：酸性氯化铜、碱性氯化铜、氯化铁、过硫酸铵、硫酸/铬酸、硫酸/双氧水蚀刻液。

蚀刻

晶圆切割

晶体硅在加工出来之后，bai为了方便光du雕设备，所以有zhi一定的规格，一般是盘状dao的，很大一片；成品芯片的面积很小（例如CPU的芯片面积差不多和小拇指的指甲那么大，CPU算是我见到[敏感词]的芯片了），光雕是批量的，一大块上全部雕好之后，就需要一块一块切下来，然后继续加工，然后测试，封装，包装等等.....

晶圆切割