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  • 更新日期: 2024-11-12
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台积电在2024年第三季度的表现相当亮眼,各项指标超出预期,展现了其在全球半导体行业中的领导地位和前沿技术的优势。以下是对其24Q3业绩的详细解读: 一、财务表现 营收:台积电在Q3实现净营收7596.9亿新台币,环比增长12.8%,同比增长39.0%。若以美元计,营收达235亿美元,超出此前指引的上限,显……
  • 更新日期: 2024-10-31
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我们可以将集成电路版图设计比作城市规划和建筑设计的结合。就像在有限的土地上规划建筑和道路布局一样,版图设计需要在有限的芯片空间上安排晶体管、布线和各类元件,以实现功能和性能的最大化。 一、什么是版图设计? 版图设计是将电路的逻辑功能通过物理层次实现出来的过程。它类似于建筑图纸的设计工作,需要通过EDA工具(……
  • 更新日期: 2024-10-31
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氧化工艺在CMOS集成电路制造中是一个非常重要的步骤,用于在硅片(Si wafer)表面生长二氧化硅(SiO2)。生长SiO2的过程可以类比为给硅片“穿上一层保护外衣”,这种外衣可以起到绝缘、防护和隔离等作用。 1. 准备基材(硅片) 首先,需要准备一块高纯度的硅片。这就像在一张空白的画布上进行绘画,硅片是……
  • 更新日期: 2024-10-31
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低电压模拟电路设计技术的核心是要在尽可能低的电源电压下,实现高效的模拟信号处理。这种设计思路主要受到移动设备、植入式医疗设备等应用场景的需求驱动。由于这些设备的空间和能量资源有限,工程师们需要找到能够在低电压(如3V以下)下高效工作的电路设计方法。 1. 技术选择与工艺背景 低电压设计首先受到半导体工艺的限……
  • 更新日期: 2024-10-24
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失效分析的目的是通过技术手段找出器件失效的根本原因,并推动改进措施的实施,从而提升生产工艺、改善产品质量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析过程中经常使用的设备之一,它们能够帮助分析人员检测电气故障,并定位失效的具体位置。 1. EMMI的基本原理 EMMI(Electro-Magnetic Induc……
  • 更新日期: 2024-10-23
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在集电路的制造和测试过程中,CP测试(Chip Probing)和WAT测试(Wafer Acceptance Test)是两个非常重要的测试环节。尽管它们都在晶圆(Wafer)阶段进行,但二者的目的、测试对象、测试内容和作用是有显著不同的。 一、整体概述:CP测试和WAT测试 我们可以把集成电路的制造过程……
  • 更新日期: 2024-10-23
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探针卡(Probe Card)在集成电路测试中起着至关重要的作用,尤其在晶圆测试(wafer test)环节,探针卡作为连接ATE测试机台和半导体晶圆之间的接口,确保了在芯片封装前对其电学性能进行初步测量和筛选。 1. 什么是探针卡? 探针卡可以形象地比作“医生的听诊器”,帮助工程师“听到”芯片的“心跳”。……
  • 更新日期: 2024-10-23
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虽然表面上看,光刻机是半导体制造的工具之一,但它的背后涉及复杂的多学科交叉与全球化合作。 1. 极端紫外光源的挑战:就像寻找“完美的灯泡” EUV光刻机依赖于波长仅为13.5纳米的极端紫外线(EUV)光源,而这种光源的产生与控制是最大的技术挑战之一。你可以把EUV光源想象成一个非常难以控制的“灯泡”,但这个……
  • 更新日期: 2024-10-22
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SoC( on Chip)作为芯片设计的主流,已经成为现代集成电路技术发展的核心。 1、SoC设计的核心思想 从结构上来看,SoC可以理解为把一个完整系统的所有功能电路都设计并集成在一个芯片中,形成一个高度集成的单元。传统的电子系统设计通常是将不同的功能模块分别制作成独立的芯片,然后通过电路板上的连接将这些芯片集成到一个系统中。而SoC技术则直接将这些模块在芯片制造时集成在一起,形成一个系统化的单芯片解决方案。 我们可以用“多合一工具”来形象化这个过程。传统的电子设计就像是你在使
  • 更新日期: 2024-10-22
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SoC(系统级芯片)与SiP(系统级封装)两种技术都是现代集成电路发展的重要里程碑,它们都能实现电子系统的小型化、高效化和集成化。 一、SoC(系统级芯片)和SiP(系统级封装)的定义及基本思路 SoC(System on Chip)——将整个系统“挤”进一个芯片 SoC 就像一栋高楼,把所有的功能模块都设计、集成到同一个物理芯片上。SoC的核心思想是将整个电子系统的核心部件,包括处理器(CPU)、存储器、通信模块、模拟电路、传感器接口等多种不同功能模块全部集成在一个芯片上。SoC的优势
  • 更新日期: 2024-10-15
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1. Defect “Defect”指的是在晶圆生产过程中出现的缺陷,可能是由于工艺不稳定、设备问题或材料瑕疵导致的。这些缺陷可能包括颗粒污染、图形失真、晶体结构破损等,都会影响最终产品的质量。 通俗解释:就是生产过程中出现的“瑕疵”或“不良”,这些问题可能影响芯片的正常功能。 2. Fail ……
  • 更新日期: 2024-10-15
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RIE干法刻蚀技术凭借其优越的各向异性刻蚀能力和良好的选择比控制,已成为半导体制造中不可或缺的核心工艺。 一、RIE干法刻蚀技术的基本原理 RIE(Reactive Ion Etching,反应离子刻蚀)作为一种主流的干法刻蚀技术,通过等离子体中的活性物质对材料表面进行选择性刻蚀,以达到精确移除材料的目的。 图:干法刻蚀概要 RIE刻蚀技术属于一种等离子体辅助的干法刻蚀工艺。刻蚀过程中,通过在反应腔内引入刻蚀气体并施加射频电场,在电场作用下刻蚀气体被电离和激发,形成等离子体