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低压MOS管IRF9317TR 低压MOS管IRF9317TR 低压MOS管IRF9317TR
低压MOS管IRF9317TR

类型:P沟道

漏源电压(Vdss):-30V

连续漏极电流(Id):-15A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@-10V,-10A

阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.6V@250μA


产品详情

产品介绍:IRF9317TR 低压P沟道MOS管


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor低压MOS管IRF9317TR是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效电流控制和低功耗应用而设计。该器件以其卓越的电气特性和紧凑的封装,成为众多电子系统中不可或缺的元件。通过精确控制栅极电压(Vgs),IRF9317TR能够高效地调节漏极至源极之间的电流(Id),适用于广泛的开关和放大电路。


二、产品特性

低漏源电压:IRF9317TR拥有-30V的漏源电压(Vdss),这使得它能够在低压环境中稳定工作,适合应用于对电压敏感或需要低功耗的电路设计中。

大连续漏极电流:高达-15A的连续漏极电流(Id)能力,确保了在高负载条件下仍能保持高效的电流控制能力,适用于驱动大功率负载或高电流需求的电路。

低导通电阻:在-10V的栅极电压(Vgs)和-10A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))仅为8mΩ,这大大降低了器件在工作时的热损耗,提高了能源效率。

低阈值电压:仅需-1.6V的阈值电压(Vgs(th)@Id)即可使器件进入导通状态,这意味着该MOS管对控制信号的响应非常灵敏,有助于实现更精细的电流控制。


三、产品优势

高效能:低导通电阻和高电流承载能力相结合,确保了高效的电流控制和能量转换。

低功耗:优化的电气参数设计,降低了器件在工作过程中的能耗,有助于提升整体系统效率。

快速响应:低阈值电压使得IRF9317TR对控制信号响应迅速,适用于需要快速开关的应用场景。

可靠性高:采用先进的制造工艺,确保了器件的稳定性和可靠性,延长了使用寿命。


四、应用领域

IRF9317TR广泛应用于以下领域:

电源管理:如DC-DC转换器、开关电源等,用于实现高效的电压调节和电流控制。

电机驱动:在直流电机、步进电机等驱动电路中,提供稳定的电流输出,实现精确的速度和位置控制。

消费电子:在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,用于电池管理、充电控制等电路。

工业自动化:在工业自动化控制系统中,作为关键元件参与各种传感器和执行器的驱动控制。


五、注意事项

静电防护:在安装和使用过程中,请务必注意静电防护,避免静电放电对器件造成损害。

散热设计:虽然IRF9317TR具有较低的导通电阻,但在高负载条件下仍需考虑适当的散热设计,以防止过热。

电压与电流限制:请确保在实际应用中不超过器件的额定电压(Vdss)和[敏感词]连续漏极电流(Id),以保证器件的正常工作和长期可靠性。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境中。



IRF9317TR SOP-8_00.png


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