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低压MOS管SL002N02K 低压MOS管SL002N02K 低压MOS管SL002N02K
低压MOS管SL002N02K

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):20V

连续漏极电流(Id):±200mA

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.8Ω@2.5V,200mA

阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@1mA


产品详情

产品介绍:低压MOS管SL002N02K


产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor低压MOS管SL002N02K是一款专为低电压应用设计的N沟道增强型MOSFET,以其出色的电气性能和紧凑的封装设计,在众多电子设备中展现出卓越的应用潜力。该器件采用先进的半导体制造工艺,确保了高可靠性和长寿命,是各种低压电路中的理想选择。


产品特性

低漏源电压:SL002N02K的漏源电压(Vdss)仅为20V,适合在低压环境下工作,有效降低功耗和热量产生。

高连续漏极电流:支持高达±200mA的连续漏极电流(Id),满足多种高电流需求的应用场景。

低导通电阻:在2.5V的栅源电压(Vgs)和200mA的漏极电流下,导通电阻(RDS(on))仅为0.8Ω,有效降低能量损失,提高系统效率。

低阈值电压:阈值电压(Vgs(th))仅为1V@1mA,使得该器件在较低的控制电压下即可开启,便于集成于各种控制电路中。


产品优势

高效能:低导通电阻和高电流处理能力,使得SL002N02K在高效能电子系统中表现优异。

低功耗:专为低压设计,有效降低系统功耗,延长电池续航时间。

易于控制:低阈值电压使得该器件易于通过微控制器等控制单元进行开关控制。

高可靠性:采用先进的半导体制造工艺,确保器件的高可靠性和长寿命。


应用领域

SL002N02K广泛应用于各种低压电子系统,包括但不限于:

移动设备电源管理

便携式电子设备的开关控制

低压LED驱动电路

传感器接口电路

微控制器输出驱动


注意事项

在使用过程中,请确保电源电压不超过器件的漏源电压(Vdss)规格,以免损坏器件。

避免在超过连续漏极电流(Id)的条件下长时间工作,以防止器件过热。

在进行焊接或组装时,请遵循相关安全操作规程,确保器件不受机械应力或热应力影响。

请勿在潮湿或腐蚀性环境下使用或存储该器件,以免影响其性能和可靠性。

以上即为SL002N02K低压MOS管的详细介绍,希望对您有所帮助。如有任何疑问或需要进一步了解,请随时联系我们。

SL002N02K SOT-723_00.png


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