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低压MOS管SL30N02D 低压MOS管SL30N02D 低压MOS管SL30N02D
低压MOS管SL30N02D

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):150A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA


产品详情

产品介绍:SL30N02D 低压N沟道MOS管


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor低压MOS管SL30N02D是一款专为高性能、低压应用设计的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件以其卓越的电气特性和高功率处理能力,在需要大电流、高效率转换的电路中表现出色。通过精确控制栅极电压(Vgs),SL30N02D能够轻松实现漏极至源极之间的高效电流控制,成为众多电力电子设计中的关键元件。


二、产品特性

高漏源电压能力:尽管被归类为低压MOS管,但SL30N02D仍能提供高达30V的漏源电压(Vdss)承受能力,确保了在广泛电压范围内的稳定运行。

超大连续漏极电流:支持高达150A的连续漏极电流(Id),这是同类产品中极为罕见的高性能指标,使其特别适用于高功率、高负载的应用场景。

超低导通电阻:在10V的栅极电压(Vgs)和30A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))仅为2.8mΩ,这一超低电阻值极大地降低了器件在工作时的热损耗,提高了能源转换效率。

低阈值电压:仅需1.5V的阈值电压(Vgs(th)@Id)即可使器件完全导通,这意味着SL30N02D对控制信号的响应非常灵敏,有助于实现更快速、更精确的电流控制。


三、产品优势

高效率:超低导通电阻和高电流承载能力相结合,使得SL30N02D在电力转换和分配过程中具有极高的效率。

快速响应:低阈值电压确保了器件对控制信号的快速响应,适用于需要高频开关的应用场景。

高可靠性:采用先进的制造工艺和材料,确保了SL30N02D在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性。

易于集成:紧凑的封装设计使得该MOS管易于集成到各种电子系统中,减少了设计难度和成本。


四、应用领域

SL30N02D广泛应用于以下领域:

电源管理:在高性能DC-DC转换器、电源模块和电池管理系统中,用于实现高效的电力转换和分配。

电机驱动:在电动汽车、工业电机和伺服系统中,作为驱动电路的关键元件,提供大电流、高效率的电力支持。

逆变器与整流器:在太阳能光伏、风力发电等可再生能源系统中,用于逆变器和整流器的设计,实现电能的双向转换。

焊接与加热设备:在电阻焊、感应加热等工业设备中,提供稳定的大电流输出,确保高效、均匀的加热效果。


五、注意事项

散热设计:由于SL30N02D能够处理大电流,因此在实际应用中需要特别注意散热设计,以防止过热导致的性能下降或损坏。

电压与电流限制:请确保在实际应用中不超过器件的额定电压(Vdss)和[敏感词]连续漏极电流(Id),以保证器件的正常工作和长期可靠性。

静电防护:在安装和使用过程中,请采取适当的静电防护措施,避免静电放电对器件造成损害。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境中。



SL30N02D  TO-252_00.png


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