极性:单向    反向截止电压(Vrwm):26V    击穿电压(最小值):28.9V    击穿电压(最大值):31.9V    反向漏电流(Ir):5μA    最大钳位电压:42.1V        峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W

光耦 IGBT 二极管 三极管 可控硅 整流桥 霍尔元件 COOLMOS MOS场效应管 碳化硅场效应管 碳化硅肖特基二极管