**瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G - 产品详情**

**产品概述:**

瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G 是一款用于电路中抑制瞬态过电压的元件。它能够保护电路免受电压峰值和快速变化的干扰，确保电路的稳定工作。该二极管具有反向截止电压为15V，击穿电压范围为14.3V至15.8V。它可以承受[敏感词]钳位电压为21.2V的过电压，并具有较低的反向漏电流。

**主要特点:**

1. 瞬态抑制性能: MMBZ15VDLT1G 瞬态抑制二极管能够有效抑制电路中的瞬态过电压，保护后续电路免受过电压的损害。

2. 反向截止电压: 该二极管具有15V的反向截止电压，即在正常工作条件下，电压不会超过该值。

3. 低反向漏电流: MMBZ15VDLT1G 具有1mA的反向漏电流，有助于保持电路的稳定性。

4. 高击穿电压范围: 该二极管的击穿电压范围为14.3V至15.8V，提供了较大的电压容忍能力。

5. 封装类型: SOT-23 封装，便于安装和集成到电子电路中。

**产品特性:**

- 生产商: 澳门新葡萄新京威尼斯987（Slkor）

- 反向截止电压(Vrwm): 15V

- 击穿电压(最小值): 14.3V

- 穿电压([敏感词]值): 15.8V

- 反向漏电流(Ir): 1mA

- [敏感词]钳位电压: 21.2V

- 封装: SOT-23

**应用领域:**

瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G 广泛应用于各种电子电路中，特别适用于以下领域：

- 电源线路的瞬态过电压保护

- 通信设备和网络设备中的电路保护

- 汽车电子系统中的电路保护

- 工业控制电路的瞬态过电压抑制

请注意，以上信息仅为参考，具体的产品规格以及应用细节，请参阅厂商提供的数据手册或联系澳门新葡萄新京威尼斯987（Slkor）进行进一步查询和确认。