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瞬态抑制二极管SLESD5311N-2TR 瞬态抑制二极管SLESD5311N-2TR 瞬态抑制二极管SLESD5311N-2TR
瞬态抑制二极管SLESD5311N-2TR

反向截止电压(Vrwm):5V

击穿电压(最小值):6V

击穿电压([敏感词]值):9V

反向漏电流(Ir):0.1uA

[敏感词]钳位电压:10V

产品详情

产品介绍:瞬态抑制二极管SLESD5311N-2TR


一、产品概述

SLESD5311N-2TR是一款专为保护电子电路免受瞬态过电压冲击而设计的先进瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor Diode, TVS)。该二极管通过其精确控制的反向截止电压、宽泛的击穿电压范围以及极低的反向漏电流,有效抑制了由静电放电、电快速瞬变脉冲群等引起的电压尖峰,从而确保敏感电子设备的安全运行。SLESD5311N-2TR以其卓越的性能和可靠的品质,成为众多电子工程师和制造商信赖的选择。


二、产品特性

反向截止电压(Vrwm): 5V

在正常工作条件下,SLESD5311N-2TR可承受的[敏感词]反向电压为5V,保证在不超过此电压时,二极管处于高阻态,不影响电路的正常工作。

击穿电压范围(最小值/[敏感词]值): 6V至9V

当电路中出现瞬态过电压,且该电压超过6V但不超过9V时,SLESD5311N-2TR会迅速从高阻态转变为低阻态,将电压钳制在可接受的范围内,防止电路元件受损。

反向漏电流(Ir): 0.1uA

即使在非工作状态下,SLESD5311N-2TR的反向漏电流也极低,仅为0.1uA,有助于减少不必要的能量损耗,提高系统能效。

[敏感词]钳位电压: 10V

在瞬态过电压事件中,该二极管能够确保电压被钳制在不超过10V的水平,有效保护后续电路免受高电压冲击的损害。


三、产品优势

高效保护:快速响应并精确钳制瞬态过电压,确保电子设备免受损害。

低漏电流:减少能耗,提升系统整体效率。

宽电压保护范围:适应不同应用场景的电压保护需求,提供灵活的保护方案。

高可靠性:经过严格测试和验证,确保在各种环境下均能稳定工作。

紧凑封装:便于在有限的空间内集成,减少PCB布局难度。


四、应用领域

SLESD5311N-2TR广泛应用于需要保护敏感电子元件免受瞬态过电压冲击的各种场合,包括但不限于:

通信设备(如手机、基站、路由器)

汽车电子系统(ECU、传感器、车载娱乐设备)

消费电子产品(电视、电脑、音频设备)

工业自动化控制系统

航空航天及[敏感词]电子设备


五、注意事项

正确选型:根据应用需求选择合适的SLESD5311N-2TR型号,确保其性能参数符合电路要求。

合理布局:在PCB设计中,应合理布局TVS,以优化瞬态电压保护效果。

环境适应性:注意使用环境温度、湿度等条件,确保产品工作在规格书规定的范围内。

限流保护:在必要时,应加入适当的限流元件,以保护TVS在[敏感词]情况下不受过大电流冲击。

定期检查:定期对电路中的SLESD5311N-2TR进行功能检测,确保其始终处于良好工作状态。


请注意,以上信息仅为参考,具体的产品规格以及应用细节,请参阅厂商提供的数据手册或联系澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)进行进一步查询和确认。

SLESD5311N-2TR_00.png

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