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更新日期： 2023-02-25
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晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光……

更新日期： 2023-02-25
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减薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。打磨机械研磨机械（常规）磨削–该工……

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IGBT芯片互连常用键合线材料特性

更新日期： 2023-02-25
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IGBT芯片与芯片的电极端子间，IGBT芯片电极端子与二极管芯片间，芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。通过键合线使芯片间构成互连，形成回路。引线键合是IGBT功率器件内部实现电气互连的主要方式之一。随着制造工艺的快速发展，许多金属键合线被广泛的应用到IGBT功率模块互连技术中。目前，常用的键合线有铝线、金线、、银线、铜线、铝带、铜片和铝包铜线等。表1是引线键合技术中常用材料的性能。表1 引线键合工艺中常用键合线的材料属性 1.铝线键合铝线键合是

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关于BMS的AFE

更新日期： 2023-02-25
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AFE概述 BMS中芯片选型最重要的非AFE莫属了。可以说AFE 的方案直接决定了整个BMS 的系统方案。下面针对现在通用的BMS方案，做一下总结，聊一下具有代表性的几个大厂的AFE。 TI方案说到关于半导体行业的大佬，TI真是应有具有。TI的AFE也比较强大，从低压到高压覆盖面也很广了。下面聊一聊 1串~4串的AFE有BQ40z50-R1，适用范围：笔记本电脑、医疗与测试设备、便携式仪表。图片来源于TI官网 BQ76

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网格划分类型与算法

更新日期： 2023-02-24
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网格方案的选取和网格质量是CAE仿真分析的支点，没有网格就没有数值计算。网格没有认真对待，你给我一个结果，我也不相信。 ……

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SiC IGBT研究进展与前瞻

更新日期： 2023-02-24
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摘要 ……

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全面解读标准AEC-Q200：被动元器件需要做哪些可靠性测试？

更新日期： 2023-02-24
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描述被动元器件又称为无源器件，是指不影响信号基本特征，仅令讯号通过而未加以更改的电路元件。最常见的有电阻、电容、电感、陶振、晶振、变压器等。被动元件，区别于主动元件。而国内此前则称无源器件和有源器件。被动元件内无需电源驱动且自身不耗电，仅通过输入信号即可作出放大，震荡和计算的反应，而不需……

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电池管理系统BMS主要功能规范

更新日期： 2023-02-23
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高压上下电管理高压上电管理：BMS进行自检状态，通过检测后等待VCU上电指令，在接收到VCU上高压电指令后，BMS控制闭合主负、预充继电器进行预充，当检测到MCU输入电压大于母线端电压的95%，预充完成，闭合主正继电器，延迟一段时间后，断开预充继电器，高压上电完成，进入BMS工作模式。KL15为OFF状态，或者……

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双面散热汽车 IGBT 模块热测试方法研究

更新日期： 2023-02-23
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摘要与传统单面散热 IGBT 模块不同，双面散热汽车 IGBT 模块同时向正、反两面传导热量，其热测试评估方式需重新考量。本文进行双面散热汽车 IGBT 模块热测试工装开发与热界面材料选型，同时对比研究模块压装方式，开发出一种适用于双面散热汽车 IGBT 模块的双界面散热结构热测试方法，可实现单面热阻测……

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MOS工作原理及失效分析

更新日期： 2023-02-23
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MOS管是金属（metal）氧化物（oxide）半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属绝缘体（insulator）半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管

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PCB布线要点整理

更新日期： 2023-02-22
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根据 50 欧姆阻抗线宽进行布线，尽量从焊盘中心出线，线成直线，尽量走在表层。在需要拐弯的地方做成45 度角或圆弧走线，推荐在电容或电阻两边进行拐弯。如果遇到器件走线匹配要求的，请严格按照datasheet上面的参考值长度走线。比如，一个放大管与电容之间的走线长度(或电感之间的走线长度)要求等等。 1、通用做……

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