中国·澳门新葡萄新京威尼斯(987-官方网站)-Ultra Platform

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1398

1、CMP工艺简介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化学机械抛光，是一个将晶圆表面打磨得光滑平整的过程。想象您在打磨一块宝石，除了手工的磨削，您还往上滴几滴特制的药剂，使其快变得光滑，这就是CMP工艺的缩影，它通过化学反应和机械力的配合，将晶圆表磨削到所需的平整度。 ……

查看详情 >>

MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1150

MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标，也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说，MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数，单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系，因此对于超低压MOSFET选取单位面积导通电阻值和漏极击穿电压作为比较指标。单位面积导通电阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件导通状态下，

查看详情 >>

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游应用等解析

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1231

1、第三代半导体特性 (1)碳化硅根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。 ②耐高温：半导体器件在较高的温度下……

查看详情 >>

澜起科技：存储接口芯片、发展历程

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1323

澜起科技：成立于2004年，2019年上市，拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线。澜起科技是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司。行业地位：澜起科技的内存接口芯片作为连接CPU和内存的“高速公路”,是服务器内存模组的必配芯片，已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域,产品性能和质量受到市场及行业……

查看详情 >>

CMOS图像传感器（CIS）分类及特点

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 919

CMOS图像传感器根据感光元件安装位置，主要可分为前照式结构(FSI)背照式结构(BSI)。在背照式结构的基础上，还可以进一步改良成堆栈式结构(Stacked)。堆栈式结构系在背照式结构将感光层仅保留感光元件的部分逻辑电路的基础上进行进一步改良，在上层仅保留感光元件而将所有线路层移至感光元件的下层，再将两层芯片叠在一起，芯片的整体面积被极大地缩减。此外，感光元件周围的逻辑电路也相应移至底层，可有效抑制电路噪声从而获取更优质的感光效果。采用堆栈式结构的CMOS图像传感器可在同

查看详情 >>

功率半导体中超结MOS管基础知识

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1163

1. 背景知识在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。 MOSFET，全称金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一种非常重要的电子元件，广泛应用于各种电子电路中。它的基本作用是作为一个开关，……

查看详情 >>

固态硬盘（SSD）主控芯片简析

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1044

固态硬盘组成主要包括主控芯片、NAND 闪存颗粒。其中主控芯片是固态硬盘的核心器件，负责与整机CPU进行数据通信以及NAND 闪存颗粒数据管理，广泛应用于消费电子、服务器、工业控制等领域。固态硬盘主控芯片与其配套固件（FW）一起，实现对固态硬盘数据管理、NAND坏块管理、NAND数据纠错、NAND寿命均衡、垃圾……

查看详情 >>

红外线及红外成像仪原理介绍

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1015

1、红外线及红外成像的概念光在本质上属于电磁波，根据波长不同可以分为无线电波、微波、红外线、可见光、紫外线、X 射线、γ 射线等类型。受人眼自然构造形成的视觉性能限制，人类只能对波长在 0.76-0.38 微米波谱段的辐射进行感知，无法通过直接观察的方式获取红外线成像信息。光电成像技术是通过光学……

查看详情 >>

晶圆制造为什么需要退火工艺？

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1030

退火工艺是晶圆制造中的关键步骤，通过控制加热和冷却过程，退火能够缓解应力、修复晶格缺陷、激活掺杂原子，并改善材料的电学和机械性质。这些改进对于确保晶圆在后续加工和最终应用中的性能和可靠性至关重要。退火工艺在晶圆制造过程中扮演着至关重要的角色。 1. 退火工艺的定义退火（annealing）是一种热处理工艺……

查看详情 >>

硅晶棒切割成晶圆的技术难点

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1113

硅晶棒切割技术涉及多个方面的技术难点，需要综合考虑机械、材料、热力学、流体力学等多学科的知识，才能实现高效、高质量的硅片切割。硅晶棒切割是半导体制造过程中至关重要的一步，其技术难点主要集中在以下几个方面： 1. 切割精度切割硅晶棒需要高度精确，以确保每片硅片的厚度一致。切割过程中的……

查看详情 >>

光刻机分类

更新日期： 2024-09-19
浏览次数： 1241

光刻机按光源类型可分为五类：I-line光刻机、KrF光刻机、ArF光刻机、ArFi光刻机（即ArF浸没式光刻机，与ArF光刻机相比在曝光过程中在投影物镜和晶圆之间放置了一层水膜）、EUV光刻机。按照应用领域可分为IC前道光刻机和IC后道光刻机。其中，IC前道光刻机主要应用于芯片制造，而后道光刻机主要用于芯片封装。 ……

查看详情 >>