类型:N沟道
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):17A
功率(Pd):24W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
产品概述:
澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管SL17N06DN1是一款N沟道中压MOS管,具有60V的漏源电压和17A的连续漏极电流,可用于高效率、高可靠性的开关模式电源、UPS电源、电动工具、照明系统等多种应用。
产品特性:
- N沟道MOSFET结构,漏源电压为60V
- 导通电阻低,可提供高效率和低温升
- 阈值电压低,有助于减少驱动电路的功耗
- TO-252封装,方便焊接和安装
产品参数:
- 漏源电压(Vdss): 60V
- 连续漏极电流(Id): 17A
- 功率(Pd): 24W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 73mΩ@10V,6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250μA
- 封装:TO-252
应用领域:
- 开关模式电源
- UPS电源
- 电动工具
- 照明系统
- 其他需要高效率、高可靠性的应用场景