产品名称：中压MOS管SL60N06

产品类型：N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 60A

功率(Pd): 110W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250μA

封装：TO-220

产品特点：

1. 高性能：SL60N06是一款中压N沟道MOSFET，具有漏源电压高达60V和60A的连续漏极电流，可提供高性能的电源控制和转换功能。

2. 低导通电阻：该器件具有11.5mΩ的低导通电阻，能够减少功耗并提高效率。

3. 高阈值电压：阈值电压为4V，可以提高设备的稳定性和可靠性。

4. TO-220封装：该器件采用TO-220封装，可方便地安装在散热器上以保持良好的温度控制。

适用领域：

该器件广泛应用于电源控制、开关转换、电机控制、电源管理、LED驱动和DC-DC转换等领域。

工作温度范围：-55℃~+175℃@(Tj)

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