产品概述：

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件。它具有漏源电压高达60V和连续漏极电流115mA的特性，可用于许多应用场合，如低电流驱动应用、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。

主要特性：

- 漏源电压高：器件漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。

- 高效导通：导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。

- 高阈值电压：阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。

- 小封装：采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

产品规格：

- 产品名称：中压MOS管2N7002

- 类型：N沟道

- 漏源电压(Vdss)：60V

- 连续漏极电流(Id)：115mA

- 功率(Pd)：225mW

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA

- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

- 封装：SOT-23

应用领域：

- 低电流驱动应用

- DC-DC转换器

- 电源管理

- 电池管理

注意事项：

- 此产品需在指定条件下使用，超过规定条件可能会影响性能。

- 请在静电防护条件下进行器件操作和存储，以免影响器件质量和寿命。

- 在进行器件操作时，请勿超过[敏感词]额定值，以避免器件损坏和安全问题。

- 请勿在超过规定温度下使用此产品，以避免影响器件寿命和性能。