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低压MOS管SL276N04M 低压MOS管SL276N04M 低压MOS管SL276N04M
低压MOS管SL276N04M

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):40V

连续漏极电流(Id):276A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.0mΩ@10V,20A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA
封装:LFPAK(5x6)

产品详情

产品名称:MOS管 SL276N04M


生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 276A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 1.0mΩ @ 10V, 20A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.7V @ 250uA

封装规格:

封装类型: LFPAK(5x6)

产品特性与应用:

该N沟道MOS管适用于超高功率应用,具有极低的导通电阻和高的连续漏极电流,适用于超高电流、高功率的电源开关、逆变器和其他工业应用。以下是产品的主要特性:


主要特性:

超高电流能力: 连续漏极电流达到276A,适用于极高功率应用。

超低导通电阻: 在10V电压和20A电流下,导通电阻仅为1.0mΩ,减小功耗。

适中的阈值电压: 阈值电压为1.7V @ 250uA,提供了电路控制的余地。

封装优势:

LFPAK(5x6)封装具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合高密度的电子设计,并且易于安装在电路板上。该封装在高功率应用中得到广泛应用。


应用领域:

该N沟道MOS管适用于超高功率电源开关、逆变器、电机控制等领域,需要承受极高电流的应用。


安全与可靠性:

产品通过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于极高的电流和功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

SL276N04M是一款适用于超高功率应用的N沟道MOS管,具有超高电流和超低导通电阻,是需要超高功率N沟道MOS管的[敏感词]应用中的理想选择。


SL276N04M LFPAK5X6_00.jpg

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