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低压MOS管FDN327N 低压MOS管FDN327N 低压MOS管FDN327N
低压MOS管FDN327N

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):20V

连续漏极电流(Id):2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A

阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA
封装:SOT-23

产品详情

产品名称:MOS管 FDN327N


生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987 Slkor


产品类型:N沟道


产品概述:

FDN327N 是由澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)生产的 N沟道 MOS场效应管,设计用于低压和低功率应用。其紧凑的 SOT-23 封装和优异的电性能使其在各种小型电子设备中得到广泛应用。


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 40mΩ @ 4.5V, 2.0A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 0.7V @ 250uA

封装类型: SOT-23


产品特点:

低压应用: 20V 的漏源电压适用于低压电路设计。

低功率: 连续漏极电流为 2A,适用于低功率需求的场合。

小型封装: SOT-23 封装适用于有限空间和轻量化设计。

应用领域:

便携式设备: 用于移动电话、数码相机等低功耗电子设备。

电源管理: 在小型电源单元中发挥作用。

传感器接口: 适用于传感器信号调理和驱动。

注意: 以上信息仅供参考,请查阅详细的产品规格表以获取准确和[敏感词]的数据。如需更多信息或特定要求,请随时联系我们。


FDN327N  SOT-23_00.jpg

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