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瞬态抑制二极管SLESD5Z5.0C 瞬态抑制二极管SLESD5Z5.0C 瞬态抑制二极管SLESD5Z5.0C
瞬态抑制二极管SLESD5Z5.0C

VRWM(V):5V

VBR min(V):5.2V
IR(A):2μA
VC(V):9V
CJ(pF):80pF
Package:SOD-523

产品详情

以下是瞬态抑制二极管 SLESD5Z5.0C 的详细信息:


产品名称:瞬态抑制二极管 SLESD5Z5.0C

- 生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)

- 封装:SOD-523


主要特性:

- 反向截止电压(VRWM):5V

- 最小击穿电压(VBR min):5.2V

- 反向漏电流(IR):2μA

- [敏感词]钳位电压(VC):9V

- 电容值(CJ):80pF


该瞬态抑制二极管具有以下特性:


1. 反向截止电压(VRWM):5V

   反向截止电压是指在正常工作条件下,二极管的[敏感词]反向电压。对于 SLESD5Z5.0C,反向截止电压为5V。


2. 最小击穿电压(VBR min):5.2V

   最小击穿电压指的是在正常工作条件下,二极管开始导通的最小电压值。SLESD5Z5.0C 的最小击穿电压为5.2V。


3. 反向漏电流(IR):2μA

   反向漏电流是指在反向电压下,通过二极管的微小电流。SLESD5Z5.0C 的反向漏电流为2μA。


4. [敏感词]钳位电压(VC):9V

   [敏感词]钳位电压是指在过电压保护期间,二极管将电路钳在一个安全的电压范围内。SLESD5Z5.0C 的[敏感词]钳位电压为9V。


5. 电容值(CJ):80pF

   电容值表示二极管的电容量大小。SLESD5Z5.0C 的电容值为80pF。


封装类型:

SLESD5Z5.0C 采用 SOD-523 封装,这是一种小型封装,常用于紧凑型电子设备和电路板上的表面贴装应用。


请注意,以上信息仅供参考。在实际使用前,请查阅澳门新葡萄新京威尼斯987(Slkor)提供的官方技术规格和数据手册,以确保准确的产品参数和性能。

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