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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987半导体：SS8050三极管参数详解，为电子行业提供可靠的元器件

更新日期： 2023-06-30
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SS8050作为NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大，也可用作开关电路。SS8050的参数和特性如下，其集射极击穿电压(Vceo)为25V，集电极电流(Ic)为1.5A，功率(Pd)为300mW，集电极截止电流(Icbo)为100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)为500mV@800mA,80mA，特征频率(fT)为100MHz，工作温度范围广泛，为-55.C~150.C。

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【每日一品】S8050三级管的参数和应用：适用于音频放大器和通用电路设计

更新日期： 2023-06-29
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今天介绍的是澳门新葡萄新京威尼斯987slkor三极管S8050。它是一款非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常能看到它，可以说应用范围很广。S8050晶体管的主要特点是高集电极电流(IC= 500mA)、优异的HFE线性度和高总功率耗散(PC=300mW)等。这些特点使得S8050晶体管在高集电极电流的应用场合中表现出色。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987slkor高压MOS管 SL18N50F：拥有高压功率场效应晶体管的优异特性

更新日期： 2023-06-27
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SL18N50F是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，是一种高性能的半导体器件，适用于各种高压开关应用。优异的设计结构使得该器件具有低导通电阻、低阈值电压和快速开关速度等特性，除此之外，SL18N50F还拥有低栅极电荷量、低反向传输电容、提升了 dv/dt 能力等特点，以上这些特性使得该器件在各种应用场合中都具有广泛的适用性。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987高漏源电压和高效导通的N沟道功率MOSFET器件：2N7002

更新日期： 2023-06-27
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2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于……

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【每日一品】Slkor BSS123 MOSFET: 适用于多种应用的中压MOS管

更新日期： 2023-06-26
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Slkor BSS123 MOSFET是一款中压MOS管，作为常用的半导体器件，它具有高输入电阻和低输出电阻的特点。BSS123的极性为N沟道，在N沟道MOS管中，沟道是由N型材料构成的，而源极和漏极是P型材料。当栅极电压施加在沟道上时，沟道中的电子会被吸引到P型源极，从而形成电流，流向P型漏极，这种极性的MOSFET器件通常用于中低功率应用。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管SL2309：可靠稳定，保障电路安全运行

更新日期： 2023-06-25
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SL2309是一款中压P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高速开关特性。该器件的漏源电压为-60V，连续漏极电流为-1.6A，功率为1.5W。此外，SL2309还具有低阈值电压和低输入电容等特点，非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管SL80N10: 一款适用于高功率应用的中压N沟道MOS管

更新日期： 2023-06-21
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SL80N10是一款中压N沟道MOS管，具有漏源电压100V，连续漏极电流80A的特点，适用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小，具有良好的开关性能和瞬态特性。它采用TO-220封装，适用于高功率应用。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管SL15N10A：解决MOS管应用难点的高品质选择

更新日期： 2023-06-20
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SL15N10A是一款N沟道中压MOS管，具有漏源电压高、导通电阻低的特点。这款MOS管的封装形式为TO-252，是市场上备受欢迎的产品之一。

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【每日一品】全力满足应用需求！澳门新葡萄新京威尼斯987低压MOS管SL2305产品稳定可靠

更新日期： 2023-06-18
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SL2305作为一款低压P沟道MOS管，具有-20V的漏源电压和-4.1A的连续漏极电流，可以承受-20V以下的电压，-4.1A以下的电流，能够在广泛的低压应用场合中发挥出优秀的性能。SL2305的导通电阻非常低，仅为55mΩ，导通电阻越小，表示MOS管在导通状态下的能量损失越小，这使得SL2305够提供高效能的工作状态，从而能够提高设备的工作效率。

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