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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯98712V稳定电压值的稳压二极管MMSZ5242B，广泛应用于手机电子等领域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987稳压二极管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和12V稳定电压值，该器件稳定电压工作范围为11.4V 至 12.6V，反向漏电流为2uA。这款稳压二极管以其高效、稳定的工作性能，在手机电源管理中发挥着重要作用，为手机的稳定运行提供了有力保障。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯98750V漏源电压的中压MOS管BSS138，广泛应用于LED驱动等领域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987BSS138是一款具有50V漏源电压和220mA连续漏极电流的N沟道MOS管，以其较低的导通电阻（3.5Ω@10V,220mA）和较低的阈值电压（1.6V@1mA）而著称。该MOS管在LED驱动中的应用具有诸多优势，如高效率、低功耗、高可靠性等。通过合理的设计和选择，可以充分发挥其在LED驱动电路中的作用，为现代电子设备提供稳定、高效的照明解决方案。

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技术解读•电力电子|IGBT知识大汇总！

更新日期： 2024-04-08
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IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）

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垂直GaN，彻底改变功率半导体

更新日期： 2024-04-08
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2023年10月5日，OKI和Shin-Etsu Chemical两家日本公司在一场联合新闻发布会上宣布了一项引人注目的技术突破。他们成功开发出一种新技术，可以以比传统技术低90％的成本制造"垂直GaN"功率器件。这一突破性的发展引起了全球范围内对氮化镓（GaN）功率半导体的关注，并对实现节能和低碳社会产生了积极的影响……

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987可承载高功率负载的中压MOS管SL60N06，广泛应用于微波技术等领域

更新日期： 2024-04-08
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。随着微波技术的快速发展，高频电路在雷达、通信、卫星导航等领域的应用日益广泛。这些特性使得 SL60N06作为高频电路中的关键元件，因其优良的性能和可靠性而备受关注。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管SL3N06具有大功率处理能力，并广泛应用于小家电等领域

更新日期： 2024-04-08
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL3N06是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（90mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（3V@250uA）而著称。这些特性使得 SL3N06成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管SL2310具有大功率处理能力，并广泛应用于小家电等领域

更新日期： 2024-04-07
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Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL2310是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（105mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL2310成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987极低导通电阻的中压MOS管SL65N10Q，助力AI电源管理技术

更新日期： 2024-04-03
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL65N10Q是一款具有100V漏源电压和65A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（14mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250uA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL65N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987低导通电阻的中压MOS管SL17N06D，广泛应用于智能家居等领域

更新日期： 2024-04-03
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL17N06D是一款具有60V漏源电压和17A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（75mΩ@10V,6A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得 SL17N06D成为智能家居领域里各种技术应用理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987极低导通电阻的中压MOS管SL60N10Q，助力AI电源管理技术

更新日期： 2024-04-03
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Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL60N10Q是一款具有100V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（8mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250uA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL60N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987低导通电阻的中压MOS管SL17N06DN1，广泛应用于智能家居等领域

更新日期： 2024-04-02
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL17N06DN1是一款具有60V漏源电压和17A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（73mΩ@10V,6A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL17N06DN1成为智能家居领域里各种技术应用理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

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【每日一品】Slkor澳门新葡萄新京威尼斯987双N沟道的中压MOS管SL9945，广泛应用于通讯设备等领域

更新日期： 2024-04-02
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slkor澳门新葡萄新京威尼斯987SL9945是一款具有60V漏源电压和3.6A连续漏极电流的双N沟道MOS管，以其低导通电阻（89mΩ@10V,3.6A）和较低的阈值电压（1V@250uA）而著称。中压MOS管SL9945克服了传统FET存在的高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢操作速度等缺点，为通讯设备的高效稳定运行提供了有力支持。

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