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PCB芯片散热焊盘如何设计？

更新日期： 2022-07-25
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01前言工作中的电路板有许多发热比较大的元器件，比如MOS管、LED、三极管，尤其在满载的情况下更为严重，散热通孔是众所周知的一种通过电路板表面贴装元件的散热方法。在结构上，板上开有一个通孔，如果该板是单层双面板，则使铜箔连……

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如何轻松区别隔离电源和非隔离电源的区别

更新日期： 2022-07-22
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在产品设计时，倘若没有考虑应用环境对电源隔离的要求，产品到了应用时就会出现因设计方案的不当导致的系统不稳定，甚至出现高压损坏后级负载的情况，以及出现危害人身财产安全的情况。因此产品设计是否需要隔离至关重要。 ……

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充电桩CP通信工程完整性模块

更新日期： 2022-07-20
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2022-06-21 深圳南山 , 业内领先的工程类工业总线及电源完整性解决方案供应商大印蓝海发布新能源汽车充电桩CP通信滤波降噪模块伴随我国新能源汽车利好政策陆续出台，城市交通系统纷纷推出新能源公交车，加上工厂、仓库也逐步应用新能源 AGV，充电桩的需求量日增月益。预计 2022年，我国将拥有分布式……

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首款国产LSM电磁弹射-游乐过山车

更新日期： 2022-07-20
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广州钧明欢乐世界对外营业，由位于中山市的广东金马游乐股份有限公司(下称“金马游乐”)自主研发的、国产首台运用LSM电磁弹射技术的弹射式过山车“炫酷飞驰”在此正式亮相。这是国产第一台运用LSM电磁弹射技术的弹射式过山车。这也意味着金马游乐成为全球第三家拥有相关核心技术的游乐企业，此举打破了游乐行业运用LSM电磁弹射技术的……

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新型宽禁带半导体-氧化镓

更新日期： 2022-07-05
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技术日新月异, 第三代宽禁带半导体技术及制造工艺发展还没有多少年,源起于日本的氧化镓被誉为第四代半导体技术已开始国内市场发育. 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga……

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关于技术研究进展之GaN功率器件芯片级热管理

更新日期： 2022-07-05
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GaN 半导体具有高二维电子气浓度、高击穿场强、高的电子饱和速度等特点，在微波大功率器件应用领域有较第一、二代半导体材料显著的性能优势，其输出功率密度可以几倍甚至十几倍于 GaAs 微波功率 FET，满足新一代电子产品对更大功率、更高频率、更小体积微波功率器件的要求，被广泛应用于雷达系统、通信系统等军民领域。

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非常详细的阻抗测试基础知识

更新日期： 2022-06-29
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一、阻抗测试基本概念阻抗定义：阻抗是元器件或电路对周期的交流信号的总的反作用。 AC 交流测试信号 (幅度和频率)。 ……

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栅级驱动及工业汽车MCU

更新日期： 2022-06-28
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概述闸级功率放大器（Gate Driver），也称栅（闸）级驱动器，可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体（例如IGBT或是功率级MOSFET）的闸极。栅级驱动器可能是附在功率晶体上甚至集成进MCU内部，也有可能是独立的元件。栅级驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。目的 MOSFET和……

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国产无线充电芯片的技术和应用分析

更新日期： 2022-06-24
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自从100年前物理学家尼古拉·特斯拉提出无线电力传输的构想，“无线充电”技术已经取得了极大的进步，但在商业化应用方面一直进展缓慢。直到最近几年手机无线充电流行起来，“无线充电”这一技术才为大众所熟知，在帮助手机用户摆脱线缆纠缠的同时，开始渗透到更多应用领域，小至TWS耳机和微型IoT传感器，大至厨房电器和电动汽车。 ……

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DC/DC的电感下方到底是否铺铜

更新日期： 2022-06-24
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电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。在EMC方面来看，在电感底部铺铜，完整的地平面铺铜有利于EMI的设计；现在的电感的生……

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MOS管发烫的原因

更新日期： 2022-06-24
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MOS管发烫的原因，最近我有用到一个MOS管，MOS管的型号是2N7002，市面上很常见的MOS管，这个MOS管是一个电路的组合，是个自己设计的电路，用来驱动背光电路的，具体的电路图我就不截出来了，我只能说造成我MOS管发烫的原因的话是我栅极驱动波形上升沿速度缓慢，因为我的电路需要频繁的导通和关断，上升沿波形缓慢的结果就是让我的MOS管在电路导通的过程中处于线性导通状态，也就是没有完全导通，所以会发烫，如果做过开关电源的话就知道，MOS管上升沿缓慢代表什么，原因知道的话那就好办了，驱动波形上升沿缓慢，也就

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