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技术交流

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5.14 大湾区半导体沙龙
  • 更新日期: 2022-05-16
  • 浏览次数: 3392
5.14大湾区半导体沙龙– 创业家园篇 开始10:00am - 结束14:00 地址:深圳市南山区深南大道海岸时代东B 1302 大印蓝海工作室(一区) 连续下了数天大雨,早上起来雨停了,上午沙龙正常举办,10点开始。 前期到来的部分创业小……
详述晶振的工作原理
  • 更新日期: 2022-05-11
  • 浏览次数: 2362
晶振概述 晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振; 而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。 晶振工作原理 ……
为什么MOS管要并联个二极管,有什么作用?体二极管的原理
  • 更新日期: 2022-05-09
  • 浏览次数: 6809
MOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管,根据导电沟道的不同,MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。 下图是NMOS的示意图,从图中红色框内可以看到,MOS在D、S极之间并联了一个二极管,有人说这个二极管是寄生二极管,有人说是体二极管,究竟哪个说法准确呢?很多同学也非常好奇:为什么要并联这个二极管?是否可以删除呢? 这要从MOS的工艺和结构说起,不
详解IGBT驱动电路设计
  • 更新日期: 2022-05-06
  • 浏览次数: 3739
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。 理想等效
SiC功率模块封装技术及展望
  • 更新日期: 2022-05-06
  • 浏览次数: 2590
近几十年来,以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅(SiC)为基础的功率半导体器件,凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅(Si)、锗(Ge)和第 2 代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比,其禁带宽度更宽,耐高温特性更强,开关频率更高,损……
记住这些英文缩写,秒懂电路原理图
  • 更新日期: 2022-05-04
  • 浏览次数: 2732
设计原理图时,网络标号要尽量简洁眀了。 本文总结了一下基本的表示方法,供大家参考。 常用控制接口 ……
信号线上串个小电阻干啥用的?
  • 更新日期: 2022-05-04
  • 浏览次数: 3416
问题: 查看有些原理图的设计时,经常看到串一些小电阻,如0Ω,22Ω,33Ω等等,但是也不是一定串。同样场合有的串,有的不串。这是为什么呢?这里电阻串联的意义是什么呢?什么时候需要串电阻呢,阻值取多大呢? 关于这个问题,我们先看下网上的一些答案: 有人说:参考设计上推荐……
内阻很小的MOS管为什么会发热?
  • 更新日期: 2022-05-04
  • 浏览次数: 2567
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极:源极S、漏极D、栅极G(这里不讲栅极GOX击穿,只针对漏极电压击穿)。 EDA365电子论坛
电路中7个常用接口类型
  • 更新日期: 2022-04-20
  • 浏览次数: 2280
我们知道,在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”,例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光信号)等,这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。 下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点……
电压型PWM控制器之LM5025芯片知识
  • 更新日期: 2022-04-20
  • 浏览次数: 7939
今天说一款电压型PWM控制器,那就是LM5025芯片,下面咱们看一下它的基本参数。 基本特性: 芯片内置启动偏置调节器,具有可编程的低压锁定输出功能(UVLO),电压型驱动器,5V参考电压,具有可编程软启动功能,具有热……
瞬态抑制二极管-TVS管怎么选型
  • 更新日期: 2022-04-20
  • 浏览次数: 3545
TVS全称是transient voltage suppressor,瞬态电压抑制器,它是一种保护器件。TVS管也属于二极管,只不过特性与二极管的有区别,它的工作原理与稳压二极管类似,也是利用反向击穿稳定电压,但TVS管的响应速度要快于稳压管。 当电路中的TVS管受到反向瞬态高能量冲击时,它能以极高的速度(几百皮秒)将两级间的阻抗变为低阻抗,起到很好的浪涌功率吸收作用,同时也能使两级之间的电压保持在一个范围内,达到有效保护电路中其他元器件的免受浪涌脉冲的损坏。 TVS管和ZenerDiode两
走进晶圆厂,深入了解芯片制造流程
  • 更新日期: 2022-04-14
  • 浏览次数: 1849
有些晶体管的尺寸超过500亿个,这些晶体管比人类头发丝的宽度还小1万倍。它们是在巨大的超洁净厂房地板上制作的,可达七层楼高,长度相当于四个足球场。 微芯片在许多方面都是现代经济的命脉。它们为电脑、智能手机、汽车、电器和其他许多电子产品提供动力。但自疫情以来,世界对它们的需求激增,这也导致供应链中断,导致全……

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