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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987slkor三极管MMBT5551的特性与应用

更新日期： 2023-07-05
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MMBT5551是一款具有外延平面晶片结构的三极管，它具有许多优点，使其非常适用于中功率放大和开关应用。外延平面晶片结构是这种结构能够提供更高的集电极-发射极电压（VCEO），使得三极管能够承受更大的电压和电流，为电路提供稳定和可靠的性能。MMBT5551还有无铅版本可供选择。无铅版本的三极管符合环保要求，对环境友好，在需要符合环保标准的领域能够大放异彩。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987MMBT4401三极管的特性及其在电子电路中的应用

更新日期： 2023-07-04
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MMBT4401是一种NPN型三极管。具有以下参数，晶体管类型：NPN。NPN型三极管是一种常见的极性类型，其中的N代表负极性，P代表正极性。集射极击穿电压(Vceo)：40V。这是指在正常工作条件下，集射极与发射极之间的最大电压。集电极电流(Ic)：600mA。这是指通过集电极的最大电流。它决定了三极管的功率放大能力。功率(Pd)：350mW。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987S9014晶体管，具有高功耗和高hFE特性

更新日期： 2023-07-02
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S9014是一种NPN结构的三极小功率晶体管，它在电子设备中具有广泛的应用。该晶体管采用TO-92塑料外壳，具有高功耗和高hFE特性，能够提供稳定的放大功能。S9014具有一系列特定的参数和特性，使其在电子设备中具有广泛的应用。下面我们将详细介绍S9014的相关参数和特点。

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【每日一品】S9013三极管：小功率应用的常见NPN型三极管

更新日期： 2023-07-01
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在使用S9013三极管时，需要注意其最大集电极电流（IC）为500mA，功率(Pd)为300mW，适用于小功率应用。同时，集射极击穿电压（VCEO）为25V，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)为600mV@500mA,50mA，适用于低电压应用。集电极电流(Ic)为500mA，集电极截止电流(Icb……

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987半导体：SS8050三极管参数详解，为电子行业提供可靠的元器件

更新日期： 2023-06-30
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SS8050作为NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大，也可用作开关电路。SS8050的参数和特性如下，其集射极击穿电压(Vceo)为25V，集电极电流(Ic)为1.5A，功率(Pd)为300mW，集电极截止电流(Icbo)为100nA，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)为500mV@800mA,80mA，特征频率(fT)为100MHz，工作温度范围广泛，为-55.C~150.C。

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【每日一品】S8050三级管的参数和应用：适用于音频放大器和通用电路设计

更新日期： 2023-06-29
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今天介绍的是澳门新葡萄新京威尼斯987slkor三极管S8050。它是一款非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常能看到它，可以说应用范围很广。S8050晶体管的主要特点是高集电极电流(IC= 500mA)、优异的HFE线性度和高总功率耗散(PC=300mW)等。这些特点使得S8050晶体管在高集电极电流的应用场合中表现出色。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987slkor高压MOS管 SL18N50F：拥有高压功率场效应晶体管的优异特性

更新日期： 2023-06-27
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SL18N50F是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，是一种高性能的半导体器件，适用于各种高压开关应用。优异的设计结构使得该器件具有低导通电阻、低阈值电压和快速开关速度等特性，除此之外，SL18N50F还拥有低栅极电荷量、低反向传输电容、提升了 dv/dt 能力等特点，以上这些特性使得该器件在各种应用场合中都具有广泛的适用性。

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【每日一品】澳门新葡萄新京威尼斯987高漏源电压和高效导通的N沟道功率MOSFET器件：2N7002

更新日期： 2023-06-27
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2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于……

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【每日一品】Slkor BSS123 MOSFET: 适用于多种应用的中压MOS管

更新日期： 2023-06-26
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Slkor BSS123 MOSFET是一款中压MOS管，作为常用的半导体器件，它具有高输入电阻和低输出电阻的特点。BSS123的极性为N沟道，在N沟道MOS管中，沟道是由N型材料构成的，而源极和漏极是P型材料。当栅极电压施加在沟道上时，沟道中的电子会被吸引到P型源极，从而形成电流，流向P型漏极，这种极性的MOSFET器件通常用于中低功率应用。

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