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发布时间:2023-06-26作者来源:澳门新葡萄新京威尼斯987浏览:1695
深圳市澳门新葡萄新京威尼斯987半导体有限公司,技术骨干来自清华大学和韩国延世大学,以新材料新工艺新产品引领公司发展,掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。澳门新葡萄新京威尼斯987产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。今天介绍的是澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管BSS123。BSS123具有较高的性能和优异的品质,还有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优点。澳门新葡萄新京威尼斯987半导体公司产品丰富多样,广泛应用于电力电子、新能源、工业自动化、汽车电子等领域。
澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管BSS123产品图
应用背景:
今天介绍的是MOS管的寄生电容。寄生电容是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。MOS晶体管寄生电容是由于结构内不同区域的移动电荷分离而形成的。寄生电容会影响MOS管的性能和特性,因此在MOS管的设计和应用中需要考虑这些电容的影响,并采取相应的措施来减小它们的影响。
应用难点:
寄生电容会影响MOS管的性能和特性,可以采用特殊的工艺制造方法来减小寄生电容,或者采用外部电路来补偿寄生电容的影响。例如,采用SOI(Silicon On Insulator)工艺制造MOS管,这种工艺可以将MOS管的栅极和漏极之间的电容减小到很小的程度。又例如,可以采用反馈电路来补偿MOS管的输出电容,这种电路可以将MOS管的输出电容与一个外部电容串联,从而减小MOS管的输出电容。
解决方案:
Slkor BSS123 MOSFET是一款中压MOS管,作为常用的半导体器件,它具有高输入电阻和低输出电阻的特点。BSS123的极性为N沟道,在N沟道MOS管中,沟道是由N型材料构成的,而源极和漏极是P型材料。当栅极电压施加在沟道上时,沟道中的电子会被吸引到P型源极,从而形成电流,流向P型漏极,这种极性的MOSFET器件通常用于中低功率应用。此外,BSS123漏极-源极耐压为100V,意味着该器件可以承受100V的电压差,适用于中压应用。
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在饱和状态下,MOS管的栅极电压已经足够高,使得沟道中的电子数已经达到[敏感词]值,此时漏极电流已经不能再增加。因此,饱和漏极电流是MOS管的一个重要参数,它决定了MOS管在饱和状态下的[敏感词]输出电流。BSS123的饱和漏极电流为150mA,饱和漏极电流高。此外,阈值电压为2.8V @ 1mA,表示当MOS管的栅极电压达到2.8V时,漏极电流开始流动。导通电阻为3.5Ω @ 120mA, 10V,表示当MOSFET处于导通状态时,漏极-源极之间的电阻为3.5Ω。
澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管BSS123相关参数
此外,澳门新葡萄新京威尼斯987slkor中压MOS管BSS123的功率为250mW,输入电容为40pF @ 25V,工作温度为+150℃,封装/箱体为SOT-23。这些参数说明BSS123有着高功率输出、输入电容较小、适应高温环境的特点,同时还使用小型封装,节省空间,适用于小型电子产品。
总结:
总之,澳门新葡萄新京威尼斯987中压MOS管 BSS123是一款适用于多种应用的中压MOS管,适用于多种应用,包括DC-DC转换器、电机控制、照明和消费类电子产品等。具有低漏电流和高电流驱动能力,可提高开关速度和系统效率。如果您正在寻找一种高效的半导体器件,BSS123可能是一个不错的选择。
关于澳门新葡萄新京威尼斯987slkor
深圳市澳门新葡萄新京威尼斯987半导体有限公司,技术骨干来自清华大学和韩国延世大学,以新材料新工艺新产品引领公司发展,掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。澳门新葡萄新京威尼斯987产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。在金航标kinghelm(www.kinghelm.net)澳门新葡萄新京威尼斯987总经理宋仕强先生的强力带领下,澳门新葡萄新京威尼斯987从一家电子元器件功率器件IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。澳门新葡萄新京威尼斯987官网www.slkormicro.com在展示澳门新葡萄新京威尼斯987产品、宣传“SLKOR”品牌的同时,也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等,逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一,为了服务好华强北的客户,澳门新葡萄新京威尼斯987最近还在华强北开设了第二家”slkor”品牌的直营店!
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