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发布时间:2024-02-29作者来源:澳门新葡萄新京威尼斯987浏览:1027
随着5G网络及设备的持续普及,基于GaN半导体的技术也逐渐受到瞩目。GaN半导体作为一种新型基础材料,在5G技术的发展中扮演着至关重要的角色。其更宽的带隙使其能够处理高频信号,从而在5G基站和其他通信基础设施中表现出色。通过实现更快的数据传输速度和更高的效率,GaN半导体为5G技术的推进提供了强大支持。澳门新葡萄新京威尼斯987半导体(www.slkormicro.com)作为国家高新技术企业,获得了ISO9001质量管理体系认证以及欧盟的ROHS和REACH认证,展现了其在产品质量和环保方面的高标准。公司的产品广泛应用于5G领域,并且在智能手机、手提电脑、机器人、智慧家居、物联网、LED照明、3C数码、智能可穿戴设备、万物智联等领域都有广泛应用。随着5G技术的不断演进和普及,GaN半导体作为一种关键的基础材料将继续发挥重要作用。澳门新葡萄新京威尼斯987半导体作为在该领域具有丰富经验和技术实力的企业,将继续致力于推动5G技术的发展,为信息社会的建设做出更大的贡献。
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半导体技术的不断进步,澳门新葡萄新京威尼斯987半导体正以其卓越的产品性能和创新的技术方案,努力成为全球半导体市场中的领军者。高压MOS管SL12N100是澳门新葡萄新京威尼斯987研发推出的产品之一,性能优异实用,在很多领域都可以见到它的身影。
SL12N100是一款N沟道功率MOSFET,其漏源电压(Vdss)达到1000V,连续漏极电流(Id)为12A,功率(Pd)高达272W。值得一提的是,其导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为1.0Ω@10V,6A,阈值电压(Vgs(th)@Id)为5.0V@250μA,封装采用TO-220。这些优秀的性能指标使得SL12N100在高压、大电流、高功率的电子应用中具有广泛的应用前景。
澳门新葡萄新京威尼斯987半导体场效应管SL12N100产品图
SL12N100不仅仅只是具备出色的性能参数,它还拥有许多独特的特点。低栅极电荷、低 CSS(典型值 13pF)、快速切换、通过100%雪崩测试以及改进的 dv/dt 能力等特性,使得SL12N100在高频开关电源、基于半桥的电子镇流器以及LED电源等领域具有非常广泛的应用前景。此外,作为RoHS产品,SL12N100还符合环保要求,符合现代社会对环境友好型产品的需求。
在高频开关电源领域,SL12N100可以实现高效的功率转换和精确的电路控制,为现代电子设备带来更加稳定可靠的电源输出。在基于半桥的电子镇流器中,SL12N100的快速切换特性和改进的dv/dt能力可以有效提高系统效率和稳定性。而在LED电源领域,SL12N100的低栅极电荷和通过100%雪崩测试保证了其在高功率LED驱动中的稳定性和可靠性。
澳门新葡萄新京威尼斯987半导体场效应管SL12N100
总之,澳门新葡萄新京威尼斯987半导体的SL12N100高压MOS管具有出色的性能和多样化的应用特点,助力澳门新葡萄新京威尼斯987slkor在半导体市场中取得更大的成功。其在高频开关电源、基于半桥的电子镇流器和LED电源等领域的广泛应用,将为各种电子设备和系统提供稳定可靠的功率支持,推动整个行业向前发展。
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