一、指代不同

1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

扩展资料：

源极结构原理

在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。

漏极结构原理

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

参考资料来源：

百度百科-源极

参考资料来源：

百度百科-漏极

请问mos管栅极、源极、漏极的由来

gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。

MOS管的源极和漏极有什么区别？

通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是ntype，那么通道也会是ntype

动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息那为什么电荷保?

动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能[敏感词]等于0，所以电荷保存的时间有限

场效应管漏极，源极，栅极的作用?

场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.to-3p这种直插式的封装，有字的一面朝向自己，引脚向下，这样从左到右依次是 g、c、e。

其中，g就是栅极，

c是集电极，相当于d漏极，

e是发射极，相当于s源极。

MOS的源极和漏极有什么区别？

1、区别：源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。

2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。mos管的定义：场效应管的结构是在一块n型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的p型区域，用p+表示，形成两个p+n结。n型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极d和源极s。 把两边的p区引出电极并连在一起称为栅极g。如果在漏、源极间加上正向电压，n区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极s出发， 流向漏极d。电流方向由d指向s，称为漏极电流id.。由于导电沟道是n型的，故称为n沟道结型场效应管。

场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品

时已把源极和衬底连接在一起了

，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况p衬底接低电位，n衬底接高电位。MS在半导体材料的层面上没有本质区别,当时在半导体器件设计时, 一般将衬底极与源极相连,所以MOSFET的开关性能与V_{GS}相关,只要V_{GS}超过阈值,就导通/截止(取决于耗尽型还是增强型)所以本质上S,D是由半导体器件制造时内部连接方式决定的.所以反接会导致短路

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