如何正确选择 MOS管？需要注意哪些细节？

   MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件，具有输入电阻高10^7~10^12Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
  1)用N沟道或P沟道？

  选择一个好的MOS晶体管器件的[敏感词]步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的电源应用中，当MOS管接地并且负载连接到电源电压时，MOS管就构成低压侧开关。在低压侧开关中，考虑到关断或接通器件所需的电压，应采用N沟道MOS管。当MOS管连接到总线并且负载接地时，就使用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

  2)确定MOS管的额定电流

  额定电流应该是负载在任何情况下都能承受的[敏感词]电流。与电压情况类似，即使系统产生峰值电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两种电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，电流持续流过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的[敏感词]电流，只需直接选择能够承受该[敏感词]电流的器件。

  3)选择MOS管的下一步是系统的散热要求。

  必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用最坏情况的计算结果，因为这个结果提供了更大的安全裕度，可以保证系统不会出现故障。

  4)选择MOS管的最后一步是确定MOS管的开关性能。

  影响开关性能的参数很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容会导致器件的开关损耗，因为每次开关时都要充电。因此，MOS管的开关速度降低，并且器件效率也降低。为了计算开关过程中器件的总损耗，应计算开关过程中的损耗(Eon)和开关过程中的损耗(Eoff)。

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