半导体 三极管参数符号及其意义

  如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100，集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时，电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib，集电极电路中就会出现相应的的交变电流ic，有c/ib=β，从而实现双极晶体管的电流放大。
  金属氧化物半导体场效应晶体管的基本工作原理是通过半导体表面的电场效应在半导体中感应出导电沟道。当栅极G电压VG增大时，P型半导体表面的多数载流子空穴逐渐减少并耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道，当VDS≠0时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反转所需的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS大于VT并取不同值时，反型层的导电能力会发生变化，在同一VDS下会产生不同的IDS，使得栅源电压VGS可以控制源漏电流IDS。

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