IGBT场效应管的工作原理和检测方法
IGBT，又称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOS)组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。因此，它可以被视为金属氧化物半导体输入的达林顿晶体管。

它结合了MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点，具有易驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40hz)等特点。它已逐渐取代晶闸管和门极关断晶闸管(GTO)，是目前发展最快的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积高效率变频电源、电机调速、不间断电源和逆变焊机。

IGBT的工作原则

IGBT由栅极G控制，发射极E和集电极c。如果 IGBT栅极和发射极之间的电压，即驱动电压太低， IGBT就不能稳定工作；如果栅极和发射器之间的耐受电压过高甚至超过， IGBT可能会[敏感词]受损。

同样，如果IGBT的集电极和发射极之间的电压超过允许值，流经 IGBT的电流将超过极限，导致IGBT的结温超过允许值，此时IGBT可能会[敏感词]受损。

IGBT极性判断

测试 IGBT时，应选择指针式万用表。首先将万用表设在r1k，用万用表测量两极间的电阻。如果一极和其他极的电阻值是无穷大，换探头后这个极和其他极的电阻值还是无穷大，这就是栅极g，用万用表测量其他极之间的电阻。如果测得的电阻为无穷大，则更换探头后电阻变小。当测得的电阻较小时，红色探针接触集电极C，黑表笔接触发射极e

对 IGBT品质的判断

判断 IGBT好坏时，必须选择指针式万用表(电子万用表内部电池电压过低)，也可以用9V电池代替。首先，将万用表拨到r10k档(当使用r1k档时，内部电压过低，无法打开 IGBT)。用黑色手写笔连接 IGBT的集电极C和红表笔接IGBT的发射极E，万用表的指针为零。

用手指同时触摸网格G和集电极C，则触发 IGBT导通，万用表指针明显摆动指向电阻较小的方向，可以保持在一定位置。然后用手指同时触摸栅极G和发射极E。这时 IGBT被堵了，万用表指针是回零在检测中，上述现象都是一致的，可以判断 IGBT是好的，否则就是 IGBT有问题。

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