IGBT模块是如何进行导通的？

   IGBT硅片的结构与功率MOSFET非常相似。主要区别是IGBT增加了P衬底和N缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术不增加这部分)。一个MOSFET驱动两个双极性器件。衬底的应用在管的P和N区域之间产生了J1结。当正栅极偏置使栅极下的P-基区反转时，形成N沟道，同时出现电子电流，完全以功率MOSFET的方式产生电流。
  如果这个电子流产生的电压在0.7V的范围内，那么J1会正向偏置，一些空穴会注入到N区，调整阳极和阴极之间的电阻率，减少了功率传导的总损耗，开始第二次电荷流动。结果，半导体层中暂时出现了两种不同的电流拓扑：一种是电子电流(MOSFET电流)；空穴电流(双极)。

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