Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。 随着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。 借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。这些典型的、面向未来的高温、高功率密度应用,包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机
射频前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是实现手机及各类移动终端通信功能的核心元器件,全球市场超过百亿美金级别。过去10年本土手机的全面崛起,为本土射频前端产业的发展奠定了坚实的产业基础;而5G在中国的率先商用化,以及全球贸易环境的变化,又给本土射频行业加了两捆柴火。射频前端芯片产……