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一文读懂射频芯片与通信（漫画版）

更新日期： 2022-05-30
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来源：华为麒麟免责声明：本文采摘自网络，本文仅代表作者个人观点，不代表澳门新葡萄新京威尼斯987及行业观点，只为转载与分享，支持保护知识产权，转载请注明原出处及作者，如有侵权请联系我们删除。

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走进晶圆厂，深入了解芯片制造流程

更新日期： 2022-04-14
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有些晶体管的尺寸超过500亿个，这些晶体管比人类头发丝的宽度还小1万倍。它们是在巨大的超洁净厂房地板上制作的，可达七层楼高，长度相当于四个足球场。微芯片在许多方面都是现代经济的命脉。它们为电脑、智能手机、汽车、电器和其他许多电子产品提供动力。但自疫情以来，世界对它们的需求激增，这也导致供应链中断，导致全球短缺。

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基带、射频，到底是干什么用的？

更新日期： 2022-04-14
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现在都流行“端到端”，我们就以手机通话为例，观察信号从手机到基站的整个过程，来看看基带和射频到底是干什么用的。

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历时3年研发，OPPO发布首颗自研NPU芯片：马里亚纳 MariSilicon X

更新日期： 2022-03-10
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作者 | 凌敏自研 NPU 芯片，可能只是一个开始。 OPPO 发布首颗自研 NPU 芯片在 12 月 14 日举行的 OPPO 未来科技大会 2021 上，OPPO 正式发布首颗自研 NPU 芯片马里亚纳 MariSilicon X。据 OPPO 创始人兼首席执行官陈明永介绍，该芯片经过 3 年研发，是……

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TWS耳机蓝牙主芯片方案32家及其全产业链！

更新日期： 2022-03-10
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近日，Canalys报告显示，在连续几个季度均以两位数的势头强劲增长后，TWS出货量似乎已临近顶峰，增长率降至6.4%，2021年第二季度整体仅出货5830万台，创三年以来新低。据悉，2021年第二季度，全球个人智能音频市场出货量达9980万台，整体增长4.7%。AirPods TWS设备的出货量在20……

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半导体发展的四个时代

更新日期： 2022-03-10
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台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释的那样，半导体行业第四个时代的主旨就是合作。让我们来仔细看看这个演讲的内容。半导体的第一个时代——IDM 最初……

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关于中国半导体功率器件的十强企业整理

更新日期： 2022-03-10
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（以下报告出品方/作者：中信建投证券/刘双锋，范彬泰）一、物联网驱动的电动化和智能化带来功率半导体新周期（一）复盘 2020-2021 年功率半导体周期：涨价与隐忧自 2019 年底开始，5G 手机的普及率不断上升，是整个半导体行业需求的动力来源。市场对未来几年5G手机的……

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一个经典的电源电路，分析的很彻底！值得一看！

更新日期： 2022-03-10
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在电子小帮手电路中的设计原理中，给出了实现电路电子开关电路分析。电路的原理图如下图所示。 ▲ 开关电路简化后的电路在电路上电之前。开关"TEST"断开，单片机也没有通过VCC加电。此时，T1的基极通过R9(100k)接地，处于截止状态。T3的基级电……

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国内外陀螺仪生产厂家及其工作原理介绍！

更新日期： 2022-03-10
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国内陀螺仪厂家水木智芯科技（北京）有限公司公司致力于MEMS陀螺芯片及加速度计芯片的设计、制造、测试、封装、销售及MEMS惯导单元的组装。产品可广泛应用于汽车、手机、数码相机、游戏机、电脑、精细农业等高端消费电子领域。努力填补中国在这个领域的产业空白。公司致力于打造集研发、生产、销售于一体的专业性高科技……

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全球十大模拟IC厂商最新排名出炉！TI蝉联第一，Skyworks增长最为强劲

更新日期： 2022-03-10
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模拟 IC 仍然是当今几乎所有以数字为中心的系统中的关键组件。消费类、计算、通信、汽车和工业/医疗系统依靠模拟设备来管理功耗并帮助延长便携式设备的电池寿命。每年的5~6月间，IC Insights都会按照各大公司的财报，总结出上一年度的全球模拟IC厂商销售额排名。 6月2日，IC Insights……

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半导体芯片设计-晶圆代工-封测三部曲产业链

更新日期： 2022-03-10
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一、芯片设计集成电路是电子信息产业的基石，而IC设计作为集成电路产业链上游，是最具发展活力和创新的重要环节，具有高投入、高风险、高产出的特点。近年来中国芯片设计产业在提升自给率、政策支持、规格升级与创新应用等要素的驱动下，保持了高速成长的趋势。根据SEMI数据，我国芯片设计行业保持了较快的增长态势，2020年……

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深度剖析：IGBT的结构与工作原理

更新日期： 2022-03-10
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IGBIGBT的结构图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件

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