中国·澳门新葡萄新京威尼斯(987-官方网站)-Ultra Platform

更新日期： 2024-04-29
浏览次数： 1739

LS（低侧）侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）的影响时，需要考虑包括SiC MOSFET的栅极驱动电路在内的等效电路。

查看详情 >>

澳门新葡萄新京威尼斯987总经理宋仕强受邀参加维库电子市场网第十三期分享会

更新日期： 2024-04-29
浏览次数： 1737

随着物联网、人工智能和5G技术的迅猛发展，芯片行业正处于一个前所未有的繁荣时期。在这个行业的蓬勃发展中，国产替代的潜力愈发显现。澳门新葡萄新京威尼斯987（www.slkoric.com）总经理宋仕强来到华强北，受邀参加维库电子市场网第十三期分享会，围绕贸易商“国产替代”前途无量的主题，分享了他对于芯片行业发展的观点和看法。

查看详情 >>

安逸的新年

更新日期： 2024-04-28
浏览次数： 1570

澳门新葡萄新京威尼斯987半导体总部设在中国广东省深圳市，以新材料、新工艺、新产品驱动公司的发展，为全球客户提供产品和配套服务。澳门新葡萄新京威尼斯987技术团队主要由韩国延世大学和清华大学组成，掌握国际领先的碳化硅mos管生产工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术，由最初的FABLESS设计公司，发展成为集设计研发、生产制造、系统解决方案、销售服务于一体的综……

查看详情 >>

客家河源紫金的春节一探

更新日期： 2024-04-28
浏览次数： 1312

澳门新葡萄新京威尼斯987半导体总部设在中国广东省深圳市，以新材料、新工艺、新产品驱动公司的发展，为全球客户提供产品和配套服务。澳门新葡萄新京威尼斯987技术团队主要由韩国延世大学和清华大学组成，掌握国际领先的碳化硅mos管生产工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术，由最初的FABLESS设计公司，发展成为集设计研发、生产制造、系统解决方案、销售服务于一体的综……

查看详情 >>

初入社会的第一位“导师”

更新日期： 2024-04-28
浏览次数： 957

澳门新葡萄新京威尼斯987半导体总部设在中国广东省深圳市，以新材料、新工艺、新产品驱动公司的发展，为全球客户提供产品和配套服务。澳门新葡萄新京威尼斯987技术团队主要由韩国延世大学和清华大学组成，掌握国际领先的碳化硅mos管生产工艺，和第五代超快恢复功率二极管技术，由最初的FABLESS设计公司，发展成为集设计研发、生产制造、系统解决方案、销售服务于一体的综……

查看详情 >>

SiC MOSFET的桥式结构

更新日期： 2024-04-28
浏览次数： 1850

SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。

查看详情 >>

金航标/澳门新葡萄新京威尼斯987每周之星李门

更新日期： 2024-04-26
浏览次数： 1443

2024年04月22日到2024年04月26日，金航标（www.kinghelm.net）/澳门新葡萄新京威尼斯987（www.slkoric.com）“每周之星”经过同事们评比，这周的每周之星是推广部视频剪辑李门，在最近工作中，勤勉工作，结合公司时事，制作出质量优良的宣传视频，以完成公司业绩为目标导向的工作精神，获得公司领导和同事的一……

查看详情 >>

TME2024优化创新研讨会圆满落幕宋仕强总经理参加了圆桌论坛

更新日期： 2024-04-25
浏览次数： 1452

「2024科技创新下的供应链优化研讨会」提交了一份让业界满意的答卷。这是一场行业大咖云集、国际国内共襄盛举的重磅活动，金航标Kinghelm（www.kinghelm.com.cn）电子和澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor（www.slkormicro.com）半导体总经理宋仕强先生作为本场特邀嘉宾暨圆桌论坛四大嘉宾之一，隆重出席活动。……

查看详情 >>

喜报 | 澳门新葡萄新京威尼斯987春节征文活动圆满结束，外贸部赖晓霞获评“最佳创作奖”

更新日期： 2024-04-24
浏览次数： 1447

历时两个月，澳门新葡萄新京威尼斯987半导体2024年的春节征文活动拉下了帷幕，这是一场旨在提升员工福利、展现员工风采的盛会。经过筛选，公司共收到了25篇优秀的征文，作为对员工参与的肯定与鼓励，澳门新葡萄新京威尼斯987（www.slkormicro.com）决定给予每位参与春节征文活动的员工500元的活动奖金。而在众多的优秀作品中，外贸部的赖晓霞的文章《新……

查看详情 >>

SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，区别在哪？

更新日期： 2024-04-24
浏览次数： 2524

SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别：驱动电压由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比S

查看详情 >>

碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征

更新日期： 2024-04-22
浏览次数： 1956

相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。

查看详情 >>

金航标/澳门新葡萄新京威尼斯987每周之星林圆芳

更新日期： 2024-04-19
浏览次数： 1508

2024年04月15日到2024年04月19日，金航标（www.kinghelm.net）/澳门新葡萄新京威尼斯987（www.slkoric.com）“每周之星”经过同事们评比，每周之星是澳门新葡萄新京威尼斯987业务员林圆芳，在最近工作中，热心帮助同事，工作积极主动，业绩一直稳中有升，以完成公司业绩为目标导向的工作精神，获得公司领导和同事的一致好评，现予……

查看详情 >>

中国·澳门新葡萄新京威尼斯(987-官方网站)-Ultra Platform

资讯中心

新闻推荐

热门标签

产品推荐

查看更多+

咨询在线客服