SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别：

驱动电压

由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比Si-MOSFET高。因此，在替换Si-MOSFET时，需要考虑栅极驱动器电路的调整。

内部栅极电阻

SiC-MOSFET的内部栅极电阻Rg取决于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸。如果设计相同，则Rg与芯片尺寸成反比，芯片越小，栅极电阻越高。在相同性能条件下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si-MOSFET小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻较大。不仅SiC-MOSFET受到影响，MOSFET的开关时间也取决于外部和内部栅极电阻的综合值。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大，因此要实现高速开关，需要尽量减小外部栅极电阻，通常在几Ω左右。

然而，外部栅极电阻还需要应对施加在栅极上的浪涌，因此需要在浪涌保护和高速开关之间取得良好的平衡。