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更新日期： 2024-09-19
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1. 背景知识在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。 MOSFET，全称金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一种非常重要的电子元件，广泛应用于各种电子电路中。它的基本作用是作为一个开关，……

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固态硬盘（SSD）主控芯片简析

更新日期： 2024-09-19
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固态硬盘组成主要包括主控芯片、NAND 闪存颗粒。其中主控芯片是固态硬盘的核心器件，负责与整机CPU进行数据通信以及NAND 闪存颗粒数据管理，广泛应用于消费电子、服务器、工业控制等领域。固态硬盘主控芯片与其配套固件（FW）一起，实现对固态硬盘数据管理、NAND坏块管理、NAND数据纠错、NAND寿命均衡、垃圾……

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红外线及红外成像仪原理介绍

更新日期： 2024-09-19
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1、红外线及红外成像的概念光在本质上属于电磁波，根据波长不同可以分为无线电波、微波、红外线、可见光、紫外线、X 射线、γ 射线等类型。受人眼自然构造形成的视觉性能限制，人类只能对波长在 0.76-0.38 微米波谱段的辐射进行感知，无法通过直接观察的方式获取红外线成像信息。光电成像技术是通过光学……

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晶圆制造为什么需要退火工艺？

更新日期： 2024-09-19
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退火工艺是晶圆制造中的关键步骤，通过控制加热和冷却过程，退火能够缓解应力、修复晶格缺陷、激活掺杂原子，并改善材料的电学和机械性质。这些改进对于确保晶圆在后续加工和最终应用中的性能和可靠性至关重要。退火工艺在晶圆制造过程中扮演着至关重要的角色。 1. 退火工艺的定义退火（annealing）是一种热处理工艺……

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硅晶棒切割成晶圆的技术难点

更新日期： 2024-09-19
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硅晶棒切割技术涉及多个方面的技术难点，需要综合考虑机械、材料、热力学、流体力学等多学科的知识，才能实现高效、高质量的硅片切割。硅晶棒切割是半导体制造过程中至关重要的一步，其技术难点主要集中在以下几个方面： 1. 切割精度切割硅晶棒需要高度精确，以确保每片硅片的厚度一致。切割过程中的……

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光刻机分类

更新日期： 2024-09-19
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光刻机按光源类型可分为五类：I-line光刻机、KrF光刻机、ArF光刻机、ArFi光刻机（即ArF浸没式光刻机，与ArF光刻机相比在曝光过程中在投影物镜和晶圆之间放置了一层水膜）、EUV光刻机。按照应用领域可分为IC前道光刻机和IC后道光刻机。其中，IC前道光刻机主要应用于芯片制造，而后道光刻机主要用于芯片封装。 ……

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晶圆Fab厂哪家强？台积电、SMIC、华虹业绩、产能PK

更新日期： 2024-09-19
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收入：中芯国际相当于台积电的十分之一，华虹相当于中芯国际四分之一

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黑神话悟空的电脑配置参数解释

更新日期： 2024-09-19
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《黑神话：悟空》是一款国产的单机动作类角色扮演游戏，以西游记为题材。玩黑神话悟空的电脑最低配置和参数解释如下：最低配置说明：最低配置是指运行某个软件或游戏时，设备所需的最低硬件和软件规格。这意味着，您的电脑至少需要达到这些配置要求，才能正常运行该软件或者游戏。 1、操作系统……

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为什么晶圆先进制程需要FinFET？

更新日期： 2024-09-19
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FinFET技术在晶圆制造中引入了一种创新的三维晶体管结构，通过增强栅极控制和降低漏电流，实现了更高效的晶体管性能。这对于实现更小、更快、更节能的半导体器件是至关重要的。随着半导体工艺节点的不断缩小，FinFET技术的应用也变得越来越普遍和重要。 1. 背景：传统平面晶体管的局限性在传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，随着工艺节点的缩小（比如从90nm到65nm再到更小的节点），我们遇到了以下技术挑战：短沟道效应：随着晶体管的栅极长度缩短，栅极对沟道的控制能力减

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聊聊DRAM的原理、结构、工艺挑战、未来发展

更新日期： 2024-09-19
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1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一种存储数据的半导体器件，广泛应用于计算机和其他电子设备中。图：存储芯片分类与SRAM（静态随机存取存储器）不同，DRAM需要周期性地刷新来保持存储的数据，这就是“动态”的含义。每个DRAM单元……

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聊聊高压CMOS工艺

更新日期： 2024-09-19
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高压CMOS (HVCMOS) 是一种专门为处理高电压应用而设计的CMOS技术。HVCMOS技术因其能够处理高压且同时具备低压CMOS电路的所有优势，使其在现代电子设备的各个领域中成为不可或缺的技术。无论是电源管理、汽车电子还是其他需要高压处理的场景，HVCMOS都提供了一种高效、可靠的解决方案。 1. 基础CM……

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晶圆制造之化学气相沉积CVD工艺

更新日期： 2024-09-19
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在制造集成电路时，有时候我们需要在硅片（也就是晶圆）表面上沉积一些特定的材料层，比如氮化硅（Si₃N₄）或氮氧化硅（SiON）。这些材料层不能直接从基板上生成，所以我们采用化学气相沉积（CVD）这种方法。 CVD的原理是：我们将含有所需元素的气体引入到反应室中，然后通过加热让这些气体分解。虽然气体不直接与晶圆表面……

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