类型:N沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):50A

功率(Pd):60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,25A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250μA
封装：TO-252

产品名称

MOS管 SL50N06D

制造商

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概述

SL50N06D 是一款N沟道MOS场效应晶体管，广泛应用于各种电子设备和电路中。其高漏源电压、连续漏极电流以及TO-252封装使其在高性能应用中表现卓越。

电气特性

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

功率(Pd): 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V, 25A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250μA

封装和引脚

SL50N06D 采用 TO-252 封装，具有以下引脚：

漏源极 (D): 连接到正极。

栅极 (G): 控制MOSFET的导通。

源极 (S): 连接到负载并接地.

产品优势

高漏源电压: 适用于各种电源应用。

高连续漏极电流: 支持高功率需求。

TO-252封装: 便于安装和散热。

应用领域

SL50N06D 广泛应用于：

电源管理: 用于开关电源和电源逆变器。

电机控制: 适用于电机驱动和控制。

电源逆变器: 用于太阳能和风能转换系统。

安装和使用

在设计电路和集成 SL50N06D 时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。