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发布时间:2022-12-19作者来源:澳门新葡萄新京威尼斯987浏览:2580
近日,第68届国际电子器件大会(IEDM 2022)在美国旧金山召开,其中清华大学集成电路学院钱鹤、吴华强团队发表了4篇学术论文,报道了存算一体技术领域的[敏感词]进展。四篇文章涉及单片三维集成混合存算一体架构、存算一体芯片的多尺度热建模、基于存算一体的同态加密和存算通一体多个前沿领域。其中博士生安然和博士生李怡均发表的基于单片三维集成的混合存算一体架构工作获得IEEE Brain[敏感词]论文奖 (IEEE Brain “Best Paper” Award)。自2016年始,团队已连续七年在IEDM大会上累计发表论文十八篇。
IEDM ( International Electron Devices Meeting ) 始于1955年,是国际微电子器件领域的[敏感词]会议,在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。IEDM主要报道国际微电子器件领域的[敏感词]研究进展,以及该领域极具应用前景的研究成果,是全球知名学术机构、高校以及行业领军企业报告其[敏感词]研究成果和技术突破的主要窗口与平台,被称为国际微电子器件领域的“风向标”。
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基于单片三维集成的混合存算一体架构
人工智能的快速发展对芯片的算力与能效提出了越来越高的要求。模拟型RRAM阵列能以极高的效率执行矩阵-向量乘法(MVM)运算,然而实际神经网络还包含如逻辑、缓存、激活函数(如ReLU)和重排等操作,目前无法在RRAM阵列上有效执行。此外,RRAM阵列和缓存之间需要通过总线进行的频繁数据传输,有限的带宽也会导致显著的延迟,限制计算的并行度。该论文提出了一种基于单片三维集成的混合存算一体架构,实现了硅CMOS逻辑层、基于RRAM的存算一体层和基于碳纳米管(CNT)/氧化铟镓锌(IGZO)的近存计算层的片上垂直堆叠,通过高密度层间通孔(ILV)提供的超高带宽优势,可以高效地实现大规模复杂神经网络运算。此外,该论文利用后道兼容低温工艺首次实现基于CNT/IGZO的后道CFET结构,以此为基础单元实现后道CMOS近存计算功能层,实现神经网络层之间的缓存和逻辑运算。该工作以 A Hybrid Computing-In-Memory Architecture by Monolithic 3D Integration of BEOL CNT/IGZO-based CFET Logic and Analog RRAM 为题发表。材料学院博士生安然和集成电路学院博士生李怡均为该论文共同[敏感词]作者,集成电路学院唐建石副教授、吴华强教授以及材料学院李正操教授为本论文共同通讯作者。
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基于RRAM的存算一体芯片的
多尺度热模型
基于RRAM的存算一体芯片近年来得到了广泛关注与研究,芯片的集成规模和算力不断提高。但是,芯片的功耗密度,也在不断提高。并且由于RRAM阵列在计算过程中会全并行开启,造成局部的高功耗与热点。而RRAM器件作为模拟器件,其电导对于温度是敏感的,温度的升高会造成RRAM电导的漂移,进而引起芯片计算精度下降。该工作对基于 RRAM 的存算一体芯片进行了多尺度热建模,对影响温度分布的散热方式、技术节点、RRAM阵列功耗、ADC与DAC功耗等多种因素进行了评估。并结合 RRAM 紧凑模型研究了RRAM器件随温度的电导漂移,及其对神经网络的精度退化的影响,并提出了有效的改善方法。该研究对基于RRAM的存算一体芯片运行深度神经网络,改善温度引起的计算精度下降具有重要参考价值。该工作以 A Multi-Scale Thermal Modeling of RRAM-based 3D Monolithic-Integrated Computing-in-Memory Chips 为题发表, 集成电路学院博士生马阿旺为[敏感词]作者,高滨副教授为通讯作者。
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基于存算一体的同态加密
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基于存算一体的混合预编码
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