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高压MOS管SL20N65F 高压MOS管SL20N65F 高压MOS管SL20N65F
高压MOS管SL20N65F

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):650V
连续漏极电流(Id):20A
功率(Pd):74W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA
封装:TO-220F

产品详情

产品名称:MOS管SL20N65F


生产商:澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

功率(Pd): 74W

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 0.38Ω @ 10V, 10A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V @ 250μA

封装规格:

封装类型: TO-220F

产品特性与应用:

MOS管SL20N65F是一款N沟道MOS场效应管,由澳门新葡萄新京威尼斯987Slkor公司生产。其适用于开关电源、电源逆变器、电机驱动和其他需要高电压和大电流的应用。


主要特性:

高漏源电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为650V,适用于高电压电源开关电路设计。

大电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为20A,适用于大电流应用场景。

适中功率: 功率(Pd)为74W,适用于中等功率的电子应用。

低导通电阻: 在10V电压和10A电流下,导通电阻为0.38Ω,有助于降低功耗和提高效率。

合适的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为3.5V @ 250μA,确保稳定的电路控制。

封装优势:

TO-220F封装具有良好的散热性能和广泛的应用领域,适用于一般功率电子设备的设计。


应用领域:

MOS管SL20N65F广泛应用于开关电源、电源逆变器、电机驱动和其他需要高电压和大电流的电子应用。


安全与可靠性:

SL20N65F经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于高电压和大电流特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

MOS管SL20N65F以其高电压、大电流和适中功率的特性,为高性能电子系统提供了可靠的解决方案。在需要高电压和大电流的应用场景下,SL20N65F是一个值得考虑的选择。


SL20N65F_00.jpg

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