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ESD静电保护二极管SLESDTU5V0A1 ESD静电保护二极管SLESDTU5V0A1 ESD静电保护二极管SLESDTU5V0A1
ESD静电保护二极管SLESDTU5V0A1
VRWM(V):5.0V
VBR min(V):6.0V
IR(A):100nA
VC(V):13V
CJ(pF):0.25pF
Package:DFN1006

产品详情

产品介绍:ESD静电保护二极管SLESDTU5V0A1


一、产品概述

澳门新葡萄新京威尼斯987slkor静电保护二极管SLESDTU5V0A1是一款专为5.0V工作电压设计的二极管,采用紧凑且高效的DFN1006封装形式。该二极管以其卓越的静电防护能力和极低的漏电流特性,为各类电子设备提供了可靠的保护屏障。SLESDTU5V0A1能够快速响应并有效钳制静电放电(ESD)和瞬态过电压,确保敏感电子元件免受损害,保障电路的稳定运行和延长产品的使用寿命。


二、产品特性

反向工作电压(VRWM):5.0V:确保在正常工作电压下,二极管保持高阻态,不影响电路的正常工作。

击穿电压(VBR min):6.0V:定义了二极管的[敏感词]击穿阈值,当电压超过此值时,二极管迅速导通,将静电放电引导至地线。

漏电流(IR):100nA:在反向电压下,二极管表现出极低的漏电流,有助于降低系统功耗,提高能效。

钳位电压(VC):13V:在静电放电事件中,二极管能将电压有效钳制在13V以下,保护后级电路免受高电压冲击。

结电容(CJ):0.25pF:极低的结电容设计,对信号传输影响微乎其微,特别适用于高频信号电路的保护。

DFN1006封装:小型化、高可靠性的封装形式,便于集成到各种紧凑的电路板上,节省空间。


三、产品优势

卓越的静电防护能力:快速响应静电放电事件,有效保护敏感电子元件。

极低的漏电流:降低系统功耗,提升整体能效。

低结电容设计:对信号传输影响小,适用于高频电路保护。

紧凑封装:便于集成,节省PCB空间,满足高密度集成需求。

稳定可靠:经过严格测试,确保在各种工作环境下都能提供稳定的保护效果。


四、应用领域

消费电子:智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备的内部电路保护。

数据通信:高速数据传输接口、网络设备、服务器等的静电防护。

汽车电子:高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载娱乐系统、导航系统等的电路保护。

工业自动化:精密传感器、控制器、执行器等自动化设备的静电保护。


五、注意事项

极性识别:安装时请确保二极管的极性正确,避免反向接入导致损坏。

工作环境:避免在[敏感词]温度、湿度或腐蚀性环境下使用,以免影响产品的性能和寿命。

静电防护:在处理和安装过程中,应采取适当的静电防护措施,避免静电对二极管造成损害。

存储条件:存放于干燥、阴凉、通风良好的环境中,避免高温、潮湿及阳光直射。

电路设计:在电路设计时,请充分考虑二极管的特性,合理布局和布线,以充分发挥SLESDTU5V0A1的保护效果。同时,注意与其他电路元件的兼容性和匹配性。




SLESDTU5V0A1 DFN1006_00.png

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